数据表应该告诉您每条指令需要多长时间，以及从 RAM 或 ROM 执行之间存在哪些差异（如果有）。

对于提供从 RAM 执行选项的微控制器，这可能更快，这可能是使用额外 RAM 空间来执行代码的要点。也可能存在一些获取重叠问题。在某些情况下，从 ROM 执行可能会更快，因为它是一个单独的内存，并且 RAM 访问可以同时进行。

同样，了解任何特定微的唯一方法是阅读数据表。

这完全取决于内存和 CPU 架构。根据经验，SRAM 比闪存快，尤其是在高速 MCU (>100 MHz) 上。SRAM 位单元产生（或多或少）逻辑电平输出，而闪存必须经过较慢的电流感应过程。

再快多少（如果有的话）取决于架构——内存的字长、每个等待状态的数量、缓存的存在、CPU 指令的大小等。如果你在一个足够低的频率，您可以在闪存和 RAM 上具有零等待状态，因此它们可能以相同的速度运行。

代码也很重要。如果您的代码是严格线性的（没有分支），那么闪存可以足够快地预取指令，即使在更高频率下也能保持 CPU 饱和。正如 Olin 所说，当代码和数据位于不同的存储器中时，具有独立程序和数据读取路径的哈佛架构 CPU 可能会执行不同的操作。

金属 ROM（和其他非易失性存储器，如 FRAM）有自己的特点，可能会也可能不会像 SRAM 一样快。写作能力并不一定会有所作为。它更多的是关于位单元输出和传感电路的特性。

数据表将使您大致了解速度差异，但唯一确定的方法是分析您的代码。

“运行程序”需要具有同步时钟的 CPU。慢速内存可以通过以足够慢的时钟运行整个系统，或者通过插入wait states（在获取和解码阶段之间额外的无操作时钟周期）来适应，仅在某些地址范围内有效（例如，参见古老的 8085）。 CPU 指令获取并不知道或不关心数据何时稳定到其最终值，只要它在建立/保持间隔期间不改变即可。

微控制器通常将所有内存都放在芯片上，所以除非另有说明，否则我会假设内存系统都是零等待状态。（但请阅读数据表以确认）。与台式机相比，典型的微控制器是更简单的单芯片解决方案，因此微控制器中不太可能出现等待状态。因此，微控制器不太可能与片上存储器速度不匹配。

更快的内存通常成本更高（更高的电压、更低的电容、更多的需求）。80xx86 在 L2 高速缓存中具有快速 SRAM，在 L1 高速缓存中具有更快的 SRAM，并且许多较慢的片外 DRAM 连接到内存控制器。这种系统比微控制器复杂得多，超出了问题的范围。（但计算机工程师非常感兴趣！）