常见的光耦合器具有电流输出：将输出晶体管连接到 Vcc，发射极将提供电流。多少取决于CTR或当前传输率。这不是很多，通常以百分比表示。例如，30 % 的 CTR 意味着您需要 10 mA 输入才能获得 3 mA 输出。使用那些 3 mA 来驱动 BJT 的基极。您需要一个达林顿驱动器来获得超过 100 mA 的集电极电流。

但是达林顿具有很高的饱和电压，可能会从螺线管的电源电压中带走太多。MOSFET可能更好。但是 MOSFET 是电压驱动的，而不是像 BJT 那样的电流驱动。所以你必须把光耦的输出电流转换成电压。没有比这更简单的了：在栅极和地之间添加一个电阻，通过它的电流会导致电压下降，从而开启 FET。

好处是您可以通过选择正确的电阻值来选择电压。例如，我们的 3 mA 电流将在 1.5 kΩ 电阻上产生 4.5 V 栅极电压。您可能很想选择相当高的电阻值，但这不一定是个好主意。光耦合器在关闭时会产生泄漏电流（称为“暗电流”），这也会导致栅极电压。你必须确保它不会变得足够高来激活 FET。如果暗电流为 10 µA（相当高的值），则 1.5 kΩ 电阻器将在 FET 的栅极上显示 15 mV，这将足够低而不会将其打开。如果您选择逻辑电平栅极FET ，则 3 mA 中的 4.5 V 就足够了。

LTV817是一款低成本的光耦合器，非常适合：最小 50% CTR、仅 100 nA 的暗电流和 35 V 的最大集电极-发射极电压。
由于 LTV817 具有如此低的暗电流，因此值R1 可以增加到 15 kΩ。那么 300 µA 就足以获得 4.5 V 的栅极电压，而暗电流只会在电阻上产生 1.5 V 的电压。在 50 % CTR 时，您只需要 600 µA 输入电流。使用 2 mA 有一些余量。

对于 FET，有很多选择。例如，FDC855将在 4.5 V 栅极电压下为您提供足够的电流，提供可忽略不计的 36 mΩ 导通电阻：电压降仅为 24 mV，功耗为 16 mW（即螺线管功率的 0.2%） .

编辑：选择正确的 FET

就像我说的，有很多 FET 适合您的应用。我经常提到 FDC855，因为它在成本和功能之间取得了很好的平衡。对于成本，规则是；较低的$R_{DS(ON)}$，你的场效应管越贵。你只需要切换 0.67 A，这是平均的，然后是极低的$R_{DS(ON)}$（您可以将它们降低到 1 mΩ）并不是必须的。

您发现PMF290XN 很便宜（尽管在 Digikey，它只比 FDC855 便宜 25%，而不是 80%）。它有一个更高的$R_{DS(ON)}$350 mΩ，但这仍然没有问题。电压降为 240 mV，功耗为 160 mW。这比 FDC855 还要多，但仍然可以。

越高$R_{DS(ON)}$也限制了电流。对于 1 A 的 PMF290XN，这不是很好，但对于应用程序来说已经足够了。您在数据表中阅读的 2 A 是脉冲的（单个 10 µs 脉冲）。不要将其解读为允许连续 2 A，1 A 是绝对最大额定值。（脉冲）更高的电流只是显示了图表的走向。

还请看图 6 和图 7。图 6 显示 3 V 足以满足 1.5 A 漏极电流，因此对于您的 0.67 A 来说绰绰有余。图 7 显示您需要 3.5 V$R_{DS(ON)}$在 0.67 A 时为 350 mΩ。