这确实是一个有趣的问题，因为由米勒先生引起的有效负载电容随负载电阻的变化，并且您不需要过度补偿它。

我怀疑一个偏置的推挽式 BJT 输出驱动器可以正常工作 - 可能是 4 个小型 BJT（2 个连接为二极管）一个偏置电阻加上每个发射极退化可能有几个欧姆。

^{模拟此电路- 使用CircuitLab创建的原理图}

如果我这样做，我会很想扔一个更强大但仍然相当便宜的放大器，例如LM8261。

结果报告

好的，简短的故事是：添加离散缓冲区有效！也就是说，我不认为我会以这种方式设计我的电路，而是我会接受@Spehro 和@WhatRoughBeast 的建议，只使用具有更高电流输出能力的运算放大器，基本上缓冲级构建正确进入运算放大器。

这是我使用的电路。与@Spehro 提供的非常相似，但实际上正是@gsills 推荐的 LH0002 数据表中的那个。基本上它使用完全相同的部件（偏置电阻值 5k 而不是 1k）只是几个不同的连接，并且......数据表显示该电路的电流增益为40,000；好吧，我的贪婪完全占了上风，我决定选择两阶段版本：

它模拟得很好，所以我在 5 x 7 位的 veroboard 上构建了它，并将它作为子板安装在我的原型上：

瞧！非常接近 1µs 的上升 (1.120µs) 和坚如磐石，从略高于 0V 到 30V 没有过冲，电流从 100mA 到 2.5A。

1.42µs 的下降时间稍长：

现在这实际上有点令人惊喜，因为当我在安装之前在工作台上对其进行测试时，电路本身并不是特别稳定。谁知道像这样的缓冲电路可以自行振荡？好吧，显然除了我之外的每个人，我一搜索就发现了 :) 而且频率也很高，比如 25MHz。我仍然不完全理解为什么会这样，但显然射极跟随器非常接近 Colpitts 振荡器，这个电路是四组射极跟随器，只是寄生电抗的错误位可以让事情唱歌。我希望我的测试引线是它需要的所有寄生元件。此外，一些输入电阻用于解决它（通过“破坏”我相信的储能电路的），所以也许$Q$$R_o$运算放大器也有助于解决方案。

所以这绝对是一次丰富的学习经历。我终于真正了解了推挽式 BJT 放大器，我现在对电路的性能感到非常满意。我想我可以通过调整增益来获得低于 1µs 的带宽，以获得更多的带宽，也许是 3 而不是 4 的增益。

也就是说，我不认为在“生产”电路中添加分立驱动器级是最好的选择，所以我订购了一块评估板并推荐了 LM8261 @Spehro 的样品。这绝对是一款令人印象深刻的运算放大器。我不知道有运算放大器之类的东西可以驱动“无限电容”。数据表显示了一个驱动 47nF 的电路，这比我需要的要多。

因此，一旦零件到达，我们将看看情况如何:)

虽然我大体上同意 Spehro 的观点，但我认为您应该注意一些事项。

首先，您必须在电源线上添加一些去耦。9 伏电池不会有您需要的性能。尝试大约 10 uF 的钽，尽可能靠近放大器。从图片上看，似乎可能有一个电解液提供此功能，但您没有在原理图上显示它。更好的是，获得 12 伏（最好是线性）电源，完全放弃电池。（请注意，您仍然需要解耦，但至少您不必担心电池电量不足。）

其次，尝试将示波器接地连接到功率电阻器的接地侧，而不是输入线。这不应该有很大的不同，但无论如何这是一个好主意。

第三，Spehro 太温和了——你的运算放大器不会做你想做的事。首先，它的稳定时间被列为 1.1 微秒到 0.1%，并且没有任何外部阶段。其次，您的门在输出端提供了 370 pF 的负载，这很可能是不稳定的来源。LM8261 的标称建立时间为 400 纳秒，特别是在指定负载为 500 pF 的情况下，是一个更好的选择。不过要注意 - LM8261 的更宽带宽将允许其他一些振荡源的可能性，所以要做好准备。你的 pcb 的布局看起来很紧凑，这应该不是问题，但你永远不知道。

第四，如果您真的希望将 50 伏的电源加载到 5 安培，您必须放弃消耗 250 瓦的功率。30瓦只是一厢情愿。这几乎肯定需要多个 FET 和更大的散热器，可能需要强制风冷。

只是一个建议......我正在寻找一个采用 SOT23-5 封装的 LM8261 替代品，以在线性模式下驱动 IXTN90N25L（23nF Ciss）等 MOSFET。发现 LM7321 具有更高的输出电流额定值和与 LM8261 相似的带宽。当然，通过去掉 SOT23-5 限制，您可能会发现其他更高输出电流的运算放大器，只需使用 ti.com 选择即可。