我的 2D-Poisson 求解器是为模拟半导体而构建的。
该算法是Gauss-Seidel迭代法。
如果我使用简单的 PN 结进行模拟测试，当我在电极上施加高压时，它会发散。
但是在电极上没有施加电压或施加非常低的电压时也可以。
以下是一维离散方程的示例。
右手边有线性和指数部分。
电位的微小变化会导致电荷密度的较大差异，电荷密度的较大差异会导致下一次迭代时电位的较大变化。
这是导致泊松求解器发散的可能原因吗？如何避免？
（如果描述仍然不清楚，我可以上传我的部分代码。）
以下是我学习的 DD 模型教程，由 Dragica Vasileska 编写。 https://nanohub.org/resources/1545/download/ddmodel_introductory_part_word.pdf