基本上，当基极-发射极和基极-集电极结都正向偏置时，晶体管就会进入饱和状态。因此，如果集电极电压低于基极电压，而发射极电压低于基极电压，则晶体管处于饱和状态。

考虑这个公共发射极放大器电路。如果集电极电流足够高，则电阻两端的电压降将足够大，以将集电极电压降低到基极电压以下。但请注意，集电极电压不能太低，因为基极-集电极结会像一个正向偏置二极管！因此，基极-集电极结上会有一个电压降，但它不会是通常的 0.7V，它更像是 0.4V。

你如何使它脱离饱和状态？您可以减少对晶体管的基极驱动量（降低电压或降低电流），这将降低集电极电流，这意味着集电极电阻上的电压降也会降低。这应该会增加集电极的电压并采取行动使晶体管脱离饱和状态。在“极端”情况下，这就是您关闭晶体管时所做的事情。基础驱动器被完全移除。为零，也是如此。因此，也为零，集电极电阻就像一个上拉电阻，使集电极电压上升到。$V_{be}$$I_b$$V_{be}$$I_b$$I_c$$V_{CC}$

对您的陈述的后续评论

BJT 是否会因将 Vbe 提高到某个阈值以上而变得饱和？我对此表示怀疑，因为据我所知，BJT 是电流控制的，而不是电压控制的。

有许多不同的方式来描述晶体管的操作。一是描述不同端子中电流之间的关系：

$$I_c = \beta I_b$$

$$I_c = \alpha I_e$$

$$I_e = I_b + I_c$$

等等。这样看，你可以说集电极电流是由基极电流控制的。

另一种看待它的方法是描述基极-发射极电压和集电极电流之间的关系，即

$$I_c = I_s e^{\frac{V_{be}} {V_T}}$$

这样看，集电极电流由基极电压控制。

这绝对是令人困惑的。这让我困惑了很长时间。事实是，您无法真正将基极-发射极电压与基极电流分开，因为它们是相互关联的。所以这两种观点都是正确的。在尝试了解特定电路或晶体管配置时，我发现通常最好选择最容易分析的模型。

编辑：

BJT 是否会因允许 Ib 超过某个阈值而变得饱和？如果是这样，这个阈值是否取决于连接到收集器的“负载”？晶体管是否饱和仅仅是因为 Ib 足够高以至于晶体管的贝塔不再是 Ic 的限制因素？

粗体部分基本上是完全正确的。但阈值不是特定晶体管固有的。它不仅取决于晶体管本身，还取决于配置：、、等。$I_b$$V_{CC}$$R_C$$R_E$

向基极驱动足够的电流，使基极-集电极结变为正向偏置。多少电流将取决于晶体管的类型。“饱和”与基区中有多少电荷载流子可以进入集电极区有关。一些将来自基极端子，但更多的将从发射极区进入基极区。超过一定量的基极电流，可以通过 BC 结的可用电荷载流子就不会增加。

当 Ic 不遵循以下线性关系时，BJT 晶体管将饱和：

$I_c = HFE * I_b$.

因此，我们所要做的就是限制 Ic 达到这个值。

自从$I_b$由接基极的电阻值和另一端的驱动电压决定，很容易强行$I_b$到任何值。什么时候$I_b$确定计算理论$I_c$并设置$R_c$减少它（比如减少 5-8）以进入饱和区并防止它遵循线性关系。

例如： $R_b$连接到5V和$R_c$（只是为了让它有趣）到 12V。假设 HFE = 50。如果我们设置$R_b=5K$然后

$I_b = (5-0.5)/5K ~= 1mA$

这意味着$I_c$将会$1mA * 50 = 50mA$. 现在如果我们设置$R_c$大约 2K 这将限制$I_c$低于 6mA，这个值几乎比线性范围小 10 倍，晶体管将饱和。

如果使用晶体管作为开关，建议在基极和地之间添加额外的电阻器（10K）（用于快速开关和防止泄漏，前提是 BJT 是 NPN 类型）

饱和是输入的增加不会产生输出的增加。在 BJT 中，这是因为输出已达到其最大电流传导。

我设计的用于确保共发射极模式下的开关 BJT 在导通时进入饱和状态的方法是……

在 BJT 的数据表中查找其 Ic(max) 和 hFE(min)。

将所需的基极电流 Ib 计算为 5 x Ic(max)/hFE(min)

5 x 是个人的“捏造因素”，允许额外的基极电流以确保 BJT 完全进入饱和状态。

这假定了一个简单的情况：一个小 BJT 在共发射极模式下切换小（比如 <2 A）负载一个低频（比如 <50 kHz）和一个有能力的基极电流源。否则，还有其他模拟条件需要考虑，例如使 BJT 饱和是否会提供良好的开关性能或 MOSFET/等。应改为使用。（不过，这超出了这个答案的范围。）