我一直被告知理想情况下,运算放大器具有无限的输入阻抗。因此,当我查看 LM741 的晶体管级原理图时,当他们使用 BJT 而不是 MOSFET 时,我感到很困惑。
使用 BJT 不会导致电流流入输入引脚吗?
我一直被告知理想情况下,运算放大器具有无限的输入阻抗。因此,当我查看 LM741 的晶体管级原理图时,当他们使用 BJT 而不是 MOSFET 时,我感到很困惑。
使用 BJT 不会导致电流流入输入引脚吗?
741 是一块旧垃圾,主要用于廉价教授基本电子学。我似乎记得在某处读到过,如果要收集每一个制造的 741,就足以给地球上的每个人 6 或 8 个。
现代运算放大器分为几类。
通用 - 这些运算放大器速度不是很快,具有不良的非理想特性(纳安级的偏置电流)、漂移、兆欧级的输入阻抗,并且几乎没有成本。741 属于这一类。
FET 输入——这些输入更快一些,具有明显更好的非理想特性(皮安中的偏置电流),漂移非常小,具有极高的输入阻抗(千兆欧姆),但可能要花费几美元。
CMOS - CMOS 运算放大器速度慢,但具有出色的非理想特性(FEMTO 放大器中的偏置电流)、极高的输入阻抗 (TERAohms)、与通用运算放大器一样多的漂移,并且可能要花费几美元。这是一种运算放大器,其输出可以在电压轨的毫伏范围内,但电压轨电压是有限的。
斩波稳定 - 这是 CMOS 运算放大器的另一种形式。它漂移非常小,并且偏移量非常低。看看这篇文章了解更多信息
还有其他运算放大器可以处理射频频率或处理高输出电流,但它们并不真正属于这些类别。
如您所见,每种类型的运算放大器都有不同的非理想直流特性和输入阻抗。流入运算放大器输入的电流取决于输入阻抗。对于大多数现代运算放大器来说,这些电流非常小,对于大多数应用来说可以忽略不计。您使用哪种类型的运算放大器是设计考虑因素,包括速度、成本、温度范围和任何精度问题。
像 741 或 LM324 这样的双极运算放大器与 FET 运算放大器有不同的权衡。一方面,它们是多年前设计的,当时 FET IC 技术相对于双极 IC 技术还不够先进。将 741 称为垃圾是不公平的;这在当时是一件很棒的事情。其紧密的衍生产品 LM324 至今仍在量产,因此显然许多人认为这是满足他们要求的正确折衷方案。
LM324 的一大优势是其价格。通常,您只需要一个没有非常严格要求的运算放大器。如果 1 MHz 增益×带宽乘积、偏置电流和几 mV 偏移都足够好,那么其他一切都只是昂贵的垃圾。
一般来说,对于相同的芯片面积,使用双极将偏移电压降低到几 mV 会更容易一些。在电流驱动能力和电源电压范围方面也有优势。FET 当然具有非常高的输入阻抗。如今,这些区别更加模糊。您可以获得失调电压远低于 mV 的 FET 输入运算放大器,然后将它们的价格与 LM324 进行比较。
早期的 FET 运算放大器(如 TL07x 和 TL08x)还存在其他问题,例如两端的输入共模范围裕量非常高。如今,FET 运算放大器更容易为输入和输出制造轨到轨,但再次将最便宜的 MCPxxxx 的价格与旧的备用 LM324 进行比较。还要注意 LM324 可以运行的电源电压范围。对于当今的大多数 FET 运算放大器来说,这是一个棘手的技巧。
一切都是权衡。
对于许多精密放大器应用来说,MOSFET 噪声太大。如果您有一个低阻抗源,为了获得任何可用单片放大器的最低噪声,您需要使用具有 1.1nV/sqrt(Hz) 白噪声频谱密度的双极放大器,例如LT1028 。(如果这还不够好,离散设计可以做得更好)。
相比之下,典型的 MOSFET 输入放大器(例如 MCP601)通常为 29nV/sqrt(Hz),或者在功率方面大约差 700 倍。
如果您正在做发烧友音频处理,世界上最好的放大器是德州仪器 (nee Burr-Brown) 双极部件。它有很大的输入偏置电流,但失真很小。
MOSFET 放大器也很少能够在更高的电源电压下工作,例如 +/-15V(精密仪器的另一个常见要求),如果是的话,它们往往会花费一大笔钱,我认为这主要是因为它们有在特殊的高压 CMOS 工艺线上制造,不与数字材料混合。
741 是在 1960 年代中期设计的,大约是 50 年前。它比更早的运算放大器(例如 uA709)有了一定的改进,但它已经很长了。双版本,例如古老的 JRC 4558,已在音频应用中使用了数十年。正如 Olin 指出的那样,LM324 是相似的(输出级有显着差异,部分是为了使其成为“单电源”),但每个放大器的数量只需一两美分。
除了 LM324,我认为没有任何其他运算放大器能像 741 那样广泛使用(也许一些 JFET 放大器接近)——市场更加分散,设计人员有许多不同的选择,每一个都有自己的优点和缺点。差异万岁!
值得指出的是,从根本上说,BJT 的跨导远高于 MOSFET。即,在 BJT 的情况下,电流随施加电压的指数变化,而对于 MOSFET,它仅随电压的平方变化。
理想情况下,所有系统都是 BJT 和 MOS 的混合体,但这不是世界的运作方式。因此对于离散系统,BJT 为王。对于片上集成系统,MOS 为王。