STM单片机每次烧毁

电器工程 微控制器 stm32 st链接 stm8
2022-01-22 03:05:20

我有一些使用 stm32 的经验,但我只在开发板上使用过它们。

我最近尝试在一个简单的分线板上焊接 stm32 和 stm8,并使用我的 st-linkv2 克隆对其进行编程。 在分线板上焊接 stm32

在第一次上电时,单片机会在几秒钟后发出一些小噪音,比如燃烧,2 分钟后它会消耗 100mA 并冒烟。

我认为我遗漏了一些重要的细节。 在这样的简单设置中会出现什么问题?(仅 vdd、vss、去耦帽和 st-link)

我用 stm8 和 stm32 都试了 20 多次。

我将去耦帽尽可能靠近并为它们提供了 3.3v。

有几次我能够对闪光灯进行编程和验证,但它表现出一些奇怪的行为*,几分钟后又冒烟了。

我尝试了拖焊,使用 smd 尖端和温度低至 260C 的常规焊接以及每个焊盘后的冷却时间。我还在 270C 上尝试了热风枪,我很确定问题不是焊接。

我还尝试了 NRST 上拉和 BOOT0 下拉。

*奇怪的行为:“随机”,例如简单的 LED 闪光灯或 pwm 信号上的时序,该信号仅下降到 2.8v 左右而不是 0v。总体而言,它的“有点”工作,但只有 1 分钟。

** 问题不在于 st-link。它闪烁开发板就好了

编辑 1: 这是原理图(用于 stm32)(与标有标签的 ST-Link 的连接):

在此处输入图像描述

在此处输入图像描述

下面什么都没有。只是另一个(未填充)连接到引脚的足迹。

编辑 2:连续性测试:没有短路,所有引脚接触都正常

编辑 3:连接 VDDA 和 VDD 并在 VDD 上添加另一个 4.7uF。还是炸了。直接在设备上测量的 VDD:3.36v

编辑 4:电流消耗行为:在所有情况下,当芯片被油炸时,它会消耗大约 20-40mA 的电流,有时会在几秒钟内突然上升到 100-240mA,然后归零(小于 10mA)。并在重新开始之前保持为零一段时间。

更新:我在 VCAP 上焊接了另一个 STM8S003F3P6,1uF,在 VDD 上焊接了 2x100nF 和 10uF。并使用电池作为电源,并制作了一个小电容倍增器和射极跟随器,以制作带有大量陶瓷和低 ESR 电容的 3.3v,并将电流限制设置为 15mA。电压在 50MHz 上的噪声小于 30mV。然后我连接了 MCU(新焊接的)。电流消耗小于4mA,电压稳定。我留下了它。一两分钟后,它突然开始超过 15mA 限制并触发 PDR。现在它立即开始执行此操作(即使已断言 NRST)。这个好像也没有了。。。

4个回答

V DDA未连接。

应用笔记AN4325 STM32F030xx 和 STM32F070xx 系列硬件开发入门说,

V DDA电源可以等于或高于 V DD这允许 V DD保持低电平,同时仍为模拟模块提供全部性能。

当使用单电源时,V DDA必须外部连接到 V DD

因此,在重试之前将引脚 5 连接到引脚 16。

你用示波器看过你的电源波形吗?

您似乎正在使用的 LF33 线性低压差稳压器需要至少2µF 的附加输出电容才能保持稳定性,您的原理图仅显示 100nF。此外,我在调节器之前没有看到任何输入电容。

如果稳压器正在振荡,它可能会间歇性地将完整的 5V 电压施加到您的 MCU 电源引脚上。这将超过 STM32 的最大额定电压 4V。

如果您不知道 CMOS“埋入式 SCR 锁存器效应”,即输入电压升高超过 0.3V 会导致电源击穿热损坏效应,那么您现在将永远不会忘记。

这与在连接 VddA 之前应用模拟信号相同。

应用笔记 p11清楚地说明了必须做什么,但没有说明原因

"• POR 仅监控 VDD 电源电压。在启动阶段,VDDA 必须首先到达并大于或等于 VDD。
• PDR 监控 VDD 和 VDDA 电源电压。
• 但是,VDDA 电源监控器可以如果应用设计确保 VDDA 高于或等于 VDD,则禁用(通过编程专用选项位 VDDA_MONITOR)以降低功耗”

根据我的专业经验,我发现 STM32 对电源轨和 GPIO 上的瞬态电压极为敏感。确保您的电源在启动时没有过冲。减轻这种情况的方法是在电压调节器的输出上增加 10uF 到 100uF。祝你好运,让我们知道进展如何。