从技术上讲，MOSFET 可以用作可变电阻器，但有两个主要问题：

1. 在欧姆区域（就输出电压而言非常窄），线性度很差，而且还取决于输入电压。调整它以使其表现得像一个合适的电阻器并不容易。

2. MOSFET 的输出电阻通常不是一个准确的值，而且很难从数据表中获得准确的值。您可以做的是针对各种输入和输出电压测量它，并创建一个包含这些值的表格。但如果您不需要它是准确的，您可以使用数据表中的图表。

另一种选择是使用集成VCR。

是的，谢尔盖。你是 100% 正确的！

MOSFET 可以很容易地用作可变电阻器。在用作可变电阻器之前，您必须考虑一些重要参数。主要的事情是

1. 您需要的最小电阻和您选择的 MOSFET 的 \$ R_{DS(on)} \$。

2. MOSFET 在线性区域中的行为虽然几乎所有 MOSFET 都相似。

现在我们将了解如何利用 MOSFET 的以下特性曲线将其用作可变电阻器

1. 当 \$ V_{GS} \$ 低于 MOSFET 的 \$ V_{th} \$ 时，它处于截止模式，这意味着整个电源电压都出现在 MOSFET 上。这意味着现在 MOSFET 正在起作用作为具有无限电阻的开路负载。

2. 当您缓慢增加栅极电压时，MOSFET 通过进入线性区域开始缓慢导通，在该线性区域开始产生电压，我们称之为 \$ V_{DS} \$ 。在该区域中，MOSFET 充当有限值电阻。

3. 现在当 MOSFET 进入饱和区时，MOSFET 的电阻最小，等于电路中提到的 MOSFET 的 \$ R_{DS(on)} \$。