那不是为了大电流，而是为了热管理。

单个源极引脚可以处理电流，单个漏极引脚也可以。MOSFET 的示意图通常是对称绘制的，因为这样更容易显示沟道电导率的不对称性。

但是分立的 MOSFET 并不是这样构造的。更像这样：

它可能会倒置封装，大部分漏极连接到直接连接到 4 个引脚的引线框架。栅极和源极将绑定到它们的引脚。
MOSFET 的大部分将散发出最多的热量，并且由于它与引脚直接接触，热量可以通过引脚排出，这是一条低热阻的路径。漏极也可以进行引线键合，以实现正确的电气连接。但是键合线传递的热量要少得多。传导
热阻（到 PCB 的铜）远低于对流热阻（热量与封装上方空气交换的方式）。我为Luxeon 电源 LED找到了以下建议的焊盘布局. 他们声称它可以轻松达到 7K/W。

在必须散发大量热量的 SMT 功率 MOSFET 中，建议将漏极引脚放在更大的铜平面上，或者让热量通过一系列（填充）过孔散发，例如 Luxeon LED。

这将用于冷却 - 您会在第 2 页的底部注意到，它们强调了铜引脚的连接方式会改变热特性。大部分热量通过引脚而不是封装传到空气中。

这很常见 - IRFD9024有两个用于漏极的引脚，并明确提到“双漏极用作安装表面的热链接，功耗水平高达 1 W”

这在 HEXFET 和 PowerTrench 功率 MOSFET 中尤为常见，因为漏极连接到衬底的主体，而源极是顶部的金属层。漏极更紧密地热耦合到基板，因此更好地去除热量。

与其他地方使用的平面或横向 MOS 相比，大多数功率 MOSFET 被归类为垂直扩散 MOS。这主要是因为为了最大限度地提高载流能力，您需要一个极长但很窄的通道，而使用教科书对称 MOSFET 很难做到这一点。例外情况是为音频放大器设计的功率 MOSFET - 这些是横向 MOS，您通常会发现它们通常是散热的结果。