我有以下基于齐纳的噪声源示意图：-
构建后，示波器会在“噪声”节点处显示锯齿噪声信号，例如：
时基为 1us/div。谁能解释为什么信号是锯齿形的？最初，我期望一个三角形，甚至是正弦波形。我认为这与齐纳二极管的阻抗和更高的 100 kOhm 电阻有关。电子在结上自由级联，但当雪崩停止时，电阻器会限制电流流动。我们说的是60uA。结果是电荷积累比雪崩期间电流流动时更慢。
这种波形不是我的设置所特有的。当人们真正放大信号时，Interweb 上的其他地方还有其他示例，其中一个是https://youtu.be/CAas_kbTW3Q?t=714。这里还有一个很好的图表，显示上升沿略微弯曲。它可能不熟悉，因为它通常以慢得多的时基显示。我对电阻/阻抗的解释是对的吗？
考虑到你实际上有这个：
其中 C 是结电容，加上任何外部电容（引线、面包板等）。来自 R1 的部分电流通过 D1 泄漏，但其余部分对 C 充电。一旦电压达到一定水平，就会发生雪崩击穿，电流从 C 流过，直到雪崩停止。然后电流再次开始对 C 充电。
要计算 C，您首先需要知道泄漏。降低 V1 直到噪音消失。然后测量电流。然后将 V1 增加到 30V。测量噪声 dV/dt 的上升斜率。测量 V 的平均值。通过 R1 的电流大致恒定在 (30V - V)/100kohm。从中减去泄漏电流，然后使用 I=C dV/dt 计算电容。
击穿附近的随机放电来自于在高 E 场下击穿的随机晶体介电电荷，产生脉冲电流，该脉冲电流随着 RC 下降时间下降电压。如果你能测量下落时间有多小，你就能估计出带电粒子中 C 的大小。
如果我猜每个粒子至少看到 50kV/mm 或 50V/um 或 50mV/nm，那么电荷大小可能约为 10 至 20 nm，以获得 500 至 1000 mV。这可以根据 Si 晶格中的外延颗粒尺寸进行缩放。
与单结振荡器一样，除了在有限范围内具有随机阈值外，C 充电并且齐纳电压在非常低的电流下迅速下降 1~5%，刚好低于击穿阈值。
从波形来看，我预计这个锯齿的上升/下降时间比约为 100 或更小。
