是否有任何普遍接受的真空管操作代数模型（三极管、四极管和五极管）？就像 BJT 具有 Gummel-Poon 或 Ebers-Moll 模型，以及（宏观）MOSFET 具有截止/线性/饱和代数模型一样，真空管是否有类似的模型？DC 精确模型加上一些动态组件（主要电容）会非常好，但我很难找到任何参考。高阶效应（相当于 BJT 中的早期效应）也很好了解，尤其是当它们倾向于影响实际设计时。
我是CircuitLab的开发人员之一，真空管是我们最需要的功能之一，我正在研究在我们的模拟器中实现它是否实用。谢谢！
在 Madmanguruman 发布的链接中几乎概述了管的一般小信号模型：电流源与板电阻和相关的电极间电容并联。
对于非线性时域分析，情况更为复杂，如此处所述。 正如文章所述，可以根据 Langmuir-Child 定律推导出三极管或五极管的数学模型，但该模型并不能准确地表示管在其某些操作区域中的真实行为。最好的模型是“现象学的”，即设计为尽可能接近管的实际性能曲线，而不考虑基础物理。
有一个我用过的程序可以让您获取已发布的管曲线，将模型拟合到曲线，然后吐出一个 SPICE 子电路。它适用于三极管，但我不知道它是否可以用于五极管。对于网络上的各种不同的管子，还有许多不同质量的即用型 SPICE 模型。