这不是一个实际的答案，除非您碰巧在一家拥有 Intersil 等资源的公司工作，但存在使这项工作得以实现的技术。考虑一下ISL21080类型的参考，它可以保持电荷，希望在它们安装到的设备的使用寿命内，基于由量子隧道效应隔离的微小电容。只要它们不会受到太多 X 射线等的影响，它们将保持多年稳定。例如，参见本应用笔记。

我可能会添加这种东西给我的威利斯。

对于普通的应用程序，数字化很可能是要走的路。

EEPROM 技术在 1980 年代初期分为两个分支 - 一个是 Intel 和 Seeq 的薄氧化物 (FLOTOX)，另一个是厚氧化物 (Xicor)。在早期，两条路线都有弱点。薄氧化物泄漏电荷和厚氧化物本质上不可能缩放。还有其他问题，但它们不适用于这里。

鉴于厚氧化物不会“泄漏”电子，我向 Xicor 的设计人员询问了单个厚氧化物电池的理论分辨率，如果我们不考虑感应放大器的限制，他们说它可以接近 1ppm（大约 20 位） . 由于我还与 LTC 相关联，LTC 是精密电压基准的领导者之一，它本身就耗电，这使我认为单个 EEPROM 单元可以适应高精度和极低功耗的电压基准。我的长期想法是，这项技术可以进一步开发用于 AI，并与 n 个扇出非阻塞、可重新配置的非易失性多路复用器结合使用。

快进大约 15 年——Xicor 最终开发出这样的设备，随后被 Intersil 收购。鉴于无法扩展，长期愿景可能不切实际。但是，当与软件软件可重新配置多路复用器结合使用时，其他技术可以实现这一愿景。

该设备确实存在，尽管它不容易以单个单位数量提供，但它的输出放大器会妨碍并且非常非线性。

它是一种浮栅 MOSFET，用于闪存、EEPRom 等。由于 FN 隧道 (Fowler Nordheim) 将在裸片上发生变化，因此编程费用可能会发生变化，尽管有些不可预测。虽然是非线性的，但它是一种比例效应，因此您可以想象设计一个将编程效应（Vth 偏移）线性化的电路。它会在数周到数月内保持稳定，因此它可以满足您说需要的小时数要求。

但很大程度上取决于您需要的规格、可接受的漂移量等。

为了清楚起见，我说的是单个设备/晶体管，而不是完整的组件，因为 Flash 的支持电路会阻止您以这种方式操作单元。

这里有 3 篇来自EDN文章的参考资料，其中提到了一家名为 GTronix 的公司，该公司已被 National Semi（现为 TI）收购。

Lee、BW、BJ Sheu 和 H Yang，“用于通用 VLSI 神经计算的模拟浮栅突触”，IEEE Transactions on Circuits and Systems，第 38 卷，第 6 期，1991 年 6 月，第 654 页。

Fujita, O 和 Y Amemiya，“用于神经网络的浮栅模拟存储设备”，IEEE Transactions on Electron Devices，第 40 卷，第 11 期，1993 年 11 月，第 2029 页。

Smith, PD, M Kucic 和 P Hasler，“模拟浮栅阵列的精确编程”，IEEE 国际电路和系统研讨会，第 5 卷，2002 年 5 月，第 V-489 页。

还有另一类器件，称为 MNOS 晶体管（金属氮化物氧化物半导体），其中栅极中有两种电介质，其中一种是具有很多陷阱的 Si3N4。该设备的操作与上面的闪存单元非常相似。

我发表了评论并考虑了一分钟，并满怀希望地说它不存在 - 有些偏离“采样”电压不仅可能而且是确定的。分辨率似乎很关键（正如您的问题所暗示的那样），这就是我说它不存在的原因。噪声是另一个会降低采样保真度的因素。

即使是数字系统（具有足够的分辨率）在再现您显然“存储”的电压时也会不准确。任何受到限制的事情都会成为问题。电位器的想法（在问题中提出）也存在缺陷，因为它依赖于保持（或复制）其端子上的参考电压 - 你无法知道这些东西是如何微小的漂移，但同样，这一切都取决于接受错误或拒绝那个错误。