有人生产分立忆阻器吗？
直接回答您的问题，“有人生产分立忆阻器吗？” 答案是不。但是正如您在链接文章中发现的那样，有一些方法可以用几乎是垃圾的物体制作自己的忆阻器，所以让我们讨论一下人们如何观察它们的作用，以及定义忆阻器的是什么。
我认为链接文章中最有说服力的图片是这张，我已经用数字注释了以供讨论：
文章说：
修改后的曲线跟踪器正在施加交流电压。横轴代表电压，纵轴代表电流。在这两种情况下，曲线总是通过零电压和零电流。必须满足此要求才能归类为忆阻器。
曲线跟踪器只是一种设备，它向某些被测设备施加变化的电压并测量电流，或施加变化的电流并测量电压，然后在一个轴上绘制电流图，在另一轴上绘制电压图。可以使用 XY 示波器和函数发生器制作：
V1 是函数发生器的输出。示波器上的通道 A 映射到水平轴，并测量电压。通道 B 映射到垂直轴，并间接测量电流作为 R1 上的压降，选择的 R1 足够小，对被测设备 (DUT) 的影响可以忽略不计。
这是正在发生的事情。让我们从原点 (1)、\$0V\$ 和 \$0A\$ 开始。最初，忆阻器处于高电阻状态，因此当曲线跟踪器施加更高的电压时，不会产生太多电流 (2)。
在某些时候，施加了足够长的电压。电压的时间积分是磁通量，即使组件中可能没有任何磁通量，就像电感器那样。我是一名工程师，而不是物理学家，但我猜测施加的电压会减少黄铜上的腐蚀，从而导致与铝的接触更好、电阻更小。现在电阻变小了，可以产生一些电流 (3)。
现在曲线跟踪器正在降低电压，我们得到相应的电流降低，直到我们回到 \$0V\$ 和 \$0A\$ (1)
曲线跟踪器继续将电压降低到负值。我们看到了一个负电流，以及一些噪音 (4)。从 (1) 到 (4) 的线斜率减小表明这里的阻力高于从 (3) 到 (1) 的阻力。我怀疑这是因为负电压正在氧化黄铜和铝之间的腐蚀，增加了它的电阻。或者也许这里有一些整流特性，类似于点接触二极管。
在某些时候，我们已经施加了足够长的负电压，使得电压（通量）的时间积分变为负值，足以使忆阻器回到高阻状态，并且电流几乎减小到零（5）。
曲线跟踪器将施加的电压从最大负值增加到 \$0V\$，直到我们回到 (1)，然后循环重复。
从这个角度来看，可以说忆阻器的重要特性是：
- 这种电流-电压关系显示了一个循环。也就是说，上升和下降是不一样的。如果是，那么它只是一条直线，那是一个普通的电阻。
- 循环是“捏”的，即它总是经过\$0V、0A\$。电感器和电容器也会在这样的图上形成环路，但它们会形成圆形或椭圆形，并且不会通过 \$0V, 0A\$。
上面的示例曲线显示了很多噪声和非线性行为，这可能是由于设置的设计不够仔细。这是同一件事的更理想化的版本：
（来自忆阻器的充电）
这种形状非常典型，但根据忆阻器的大多数定义，这种特殊形状不是必需的，只要有一个通过 \$0V, 0A\$ 的压缩磁滞回线即可。因此，描述“理想”忆阻器的不仅仅是一个标量数字，就像电阻器、电容器和电感器一样。相反，该曲线的斜率被指定为函数，以伏特/安培或欧姆为单位。
以下是 IEEE Spectrum Magazine 发表的有关忆阻器主题的文章。
http://spectrum.ieee.org/searchContent?q=memristor&media=&max=10&offset=0&sortby=relevance
正如您将看到的，惠普正在对该主题进行一些研究，但似乎还没有准备好供专业工程师使用。
本文是关于该主题的其他一些研究，并附有 arXiv 上论文的链接。
希望能帮助您树立2013年忆阻器的使用状态。
Bio Inspired Technologies 现在向研究界提供分立的离子传导忆阻器作为原始测试芯片（96 个分立器件）或封装组件（44 针陶瓷封装中的 20 个器件）。忆阻器“Discovery”板的原型设计即将完成。(www.bioinspired.net)
Knowm Inc.在原始裸片和 16 引脚 DIP 封装中提供 3 种银硫族化物变体。