合适的标准解决方案可能是QSPI（也称为 QPI，或 SQI）。它在某种程度上是 SPI 接口的扩展，但使用四个（quad，因此缩写中的 Q）数据位 (IO0/IO1/IO2/IO3) 而不是每个方向的单个信号 (MISO/MOSI)。

因此芯片非常小（通常为 SO-8），接口非常高效：您需要为每个读取或写入命令发送地址，但随后您可以突发读取多个字节，每个时钟周期四位。闪存的最大时钟速度通常约为 104MHz。使用双数据速率信号（每个时钟沿四个位，上升和下降：因此每个时钟周期有八个位 - 通常，闪存芯片在此模式下最大频率为 80MHz）可以使其更快。

芯片数据表将提供有关每个信号的确切含义/用法的所有详细信息。为了说明，这是一个读取命令时序图（在单数据速率模式下，取自此数据表）：

在这里，您看到您需要 14 个时钟周期来获取第一个字节（在 80MHz 时，这意味着 175ns 访问时间）。但如果您需要更多字节，只需每字节添加 2 个周期（25ns）。因此，突发读取将使其比典型的 70ns 甚至 45ns 闪存并行芯片快得多。

使用此界面，您可以轻松找到来自许多制造商的 NOR 闪存部件。请注意，它们的性能（最大速度、虚拟周期数）和特性（四 I/O 或仅双 I/O、DDR 支持）会有所不同，因此请查看数据表。

RAM 有点难找，但仍然可用，尤其是 Microchip（例如23LC512）、ON semi（例如N01S818HA）和 ISSI（例如IS62WVS2568GBLL-45）。不过，它们比闪存慢。但是我上面建议的 ISSI 仍然可以达到 45MHz（单数据速率），显然最小读取周期需要 11 个时钟来读取第一个字节。或者换一种说法：每字节 200ns + 45ns（180Mbit/s 吞吐量），这还不错，并且超过了您指示的 GRAM 速度。

此外，请注意，许多高端 MCU（来自 NXP、ST 等）在硬件中支持此接口。

^{我将其发布为另一个答案，因为它完全不同。}

还有另一个不太常见的接口也很符合您的描述：HyperBus，由 Cypress 设计（它是专有的）。

这个使用速度更高（高达 166MHz）的 DDR 和 8 位总线。所以你可以达到 2666 Mbit/s（哇！），这让 QSPI 远远落后。它也是为更高密度的 DRAM 而不是 SRAM 而设计的，因此您可以找到 8M x 8 芯片（而另一篇文章中提到的 ISSI QSPI SRAM 为 256k x 8）。它仅使用 12 个信号（不包括电源电压）。

这是 ISSI 的 HyperRAM 产品：IS66WVH8M8ALL。您还可以找到 HyperFlash 产品。

但我们在另一类产品上。它更昂贵，更不容易采购，芯片通常是 BGA，并且接口有点复杂（由于高速和 DDR）。此外，支持此功能的 MCU 较少。