是的，它们是基于浮栅上的微小电荷，所以最终它们会失去记忆。

在良性条件下（如果有的话，很少重写，低温，没有明显的电离辐射），时间通常很长。

如果这些事情中的任何一个不真实，那么寿命可能会大大缩短。例如，在高温下，经验法则是每 10°C 减半（不确定这对于 EEPROM 单元是否 100% 有效，但让我们在这里使用它）.. 所以 100 年在 35°C 时变为 50 年，25年在 45°C 时，在 55°C 时为 12.5 年，依此类推。所以在 150°C 的最高储存温度下，保留时间可能不到一周。

同样，一个写得不好或错误的程序可以在几个小时内迅速超过生命周期 10^6 擦除/写入周期。

我相信这两个写周期之间存在一些相互作用，会对保留时间产生负面影响。

您可以找到要使用的 EEPROM 的数据表。我看了一个 24LC64（来自 Microchip），它说数据保留时间超过 200 年。所以，是的，它们不会永远保存数据，但可能足以供您使用。

制造 EEPROM 有多种方法，我之所以提到这一点只是因为大多数时候人们看到“EEPROM”，它几乎可以是任何东西。一般来说，架构很大程度上取决于它们的用途。在所有情况下，它都是浮动栅极 MOSFET的一种变体。对于 SSD，基于 NOR 和 NAND 的存储的电荷量非常少，但对于关注数据完整性的工业应用，您将拥有更大的电容器。从根本上说，这是读出放大器结构的函数，以及翻转位需要多少电荷。我会将我的 IC 放入 200C 的烤箱中以模拟老化并查看电荷损失。一般来说，我们没有看到由于栅极导致的电荷损失，但由于氧化物中捕获的浅电荷可能导致偏移。

以下是如何制作浮动门的摘要：

• 基于模拟，通过注入和隧道进行编程
• 微分。这使用了两个不同的浮动门来存储一个值，所以一个是高的，一个是低的。TI 使用它来存储有关非闪存进程的信息。
• SONOS电荷被捕获在氧化物中。这适用于空间。
• 或非/与非。这具有极好的电荷密度，但是是一种特殊的制造工艺。

对于所有这些，您可以通过将它们放入烤箱并观察它们随时间的变化来测试它们。NOR/NAND 是最差的，因为它受密度驱动，因此电荷很少。其他一切几乎都将永远有效地保持充电。还需要记住，更改状态可能具有破坏性，具体取决于您的操作方式。

物理警告：如果你在“隧道”，这是一个量子过程，这对于无限循环是有效的，因为你没有足够的能量来移动一个洞。如果您使用热电子注入，您最终可能会拥有足够高的能量状态来移动一个空穴，并且您会将一个原子投入氧化物中。如果您小心，即：不着急，您可以有效地拥有无限的编程周期。氧化物将充满浅电荷陷阱以产生偏置，但如果您有足够大的电容器，则偏移不会有任何问题。

其他答案涵盖了 EEPROM 损坏的基本风险，但这仅与硬件有关。但是 EEPROM 必须由软件读取，并且软件通常具有恢复策略来检测 EEPROM 数据中的错误。

如果软件提供错误恢复，用户可能永远不会看到损坏。如果错误是可恢复的（根据设计，大多数错误都是这种情况），软件将检测损坏，从中恢复，并将更正的数据报告给用户。该软件通常还会重写 EEPROM 上的数据，以确保它在未来保持正确。结果是，即使在 EEPROM 的生命周期内的某个时候很可能发生损坏，但在 EEPROM 的生命周期内发生无法纠正的损坏的可能性非常、非常低。

如果软件提供错误检测（例如校验和）但不提供错误恢复，结果可能是全有或全无。损坏的文件可能会被完全丢弃，而不是可用并显示您的“VHS 磁带”类型的错误。在这种情况下，仅更改图像中的一位可能会导致整个图像被报告为不可读。

或者当然，软件可能会简单地按原样报告数据，在这种情况下，正如之前的答案所说，随着时间的推移，您可能会得到一些少量的损坏。