^{模拟此电路- 使用CircuitLab创建的原理图}

注 1：输入电压仅为\$V_{cc}\$和\$V_\text{High Voltage}\$。您不会在\$V_{BS}\$节点上应用任何内容。它只是为了代表。
注 2：请注意，有两种不同类型的理由。这些接地不能直接相互连接。

您必须在其栅极和源极端子之间驱动 MOSFET。由于高端 MOSFET 的源极端电压将浮动，因此您需要为栅极驱动电路提供单独的电压源（VBS：\$V_\text{Boot Strap}\$）。

在下面的示意图中，VCC 是电路其余部分的电压源。当 MOSFET 关闭时，自举电路的地线连接到电路地线，因此 C1 和 C2 充电至 Vcc 电平。当输入信号到达开启 MOSFET 时，栅极驱动电路的接地电压上升到 MOSFET 的漏极电压。D1 二极管将阻挡此高压，因此 C1 和 C2 将在导通期间为驱动电路供电。一旦 MOSFET 再次关闭，C1 和 C2 从 VCC 补充它们丢失的电荷。

设计标准：

• RB 必须选择得尽可能低，以免损坏 D1。
• C2 的容量必须选择得足以在最长的导通时间内为驱动电路供电。
• D1 的反向电压额定值必须高于\$V_\text{High Voltage} - V_\text{CC}\$。

输入信号必须与自举电路隔离。一些可能的隔离器是：

光耦合器

光耦是最基本的隔离方法。与其他方法相比，它们非常便宜。便宜的传播延迟时间低至 3 \$\mu\$ s。但是，传播延迟小于 1 \$\mu\$ s 的那些与隔离栅极驱动器一样昂贵。

脉冲变压器

脉冲变压器是一种用于传输矩形脉冲的空间型变压器。它们的匝数较少，以避免寄生电容和电感，而较大的磁芯用于补偿由于匝数减少而导致的电感损失。它们比光耦合器快得多。延迟时间一般小于 100ns。上图仅供参考。实际上，它们可以提供的电流不足以快速驱动 MOSFET；所以他们在实践中需要额外的电路。

隔离栅极驱动器

隔离栅极驱动是一种相对较新的技术。栅极驱动的所有复杂性都封装在一个芯片中。它们与脉冲变压器一样快，但它们可以提供几安培的峰值栅极电流。有些产品还包含片上隔离式 DC-DC 转换器，因此它们甚至不需要自举。然而，所有这些超级功能都是有代价的。

嗯，IC内部有“电平转换”电路。

而电平转换电路可能是这样的，这与FAN7380类似：

Pulse Filter 前的两个 NMOS 是相对于真实接地的，其差分信号路由到 Pulse Filter。Pulse Filter 后，地在\$V_{SRC}\$ 上浮动，电源为\$V_{BST}\$。

下面是 IR2110 的框图（来自 International Rectifier AN978-b）：