Q2 是一个斜坡回扫发生器。
当锗的 Vbe >200 mV 时,Q1 是一个复位比较器。但如果 Q2-C 为低,而 Q1-E 为高,则 Q1 因 Q1 Vbe 缺陷而有缺陷。
现在我看到 Q2 和 Q4 Vbe >1V 都是有缺陷的
操作理论。
这是一个聪明的小 2 晶体管 Astable 多谐振荡器,带有脉冲发生器,用于驱动扬声器,尖峰从 1/4 或 1/2s 到 2s,用于节拍器,如带有 RV1 的咔嗒声发生器。超出此范围,由于 Rc/Re 的增益比,它停止振荡。
锯齿波发生器提升 Q2 的发射极帽。最初,但之后对频率几乎没有影响,因为 Q1 通过将发射极电压拉到远高于基极电压,有效地切断了 Q2 的传导电流。事实上,Q2 的 Vbe > -5V 太远了,这对于大多数晶体管来说是一个常见的不得超过额定值。
一旦 Q2 的电流斜坡达到其 Vbe 阈值,即 Ge 约为 100mV 或 Si 为 600mV,Q1 就会触发 SCR 触发器并拉高 Q2。
然后,R3 拉低电容电压,直到 Q2 可以导通,然后由 Q1 到 Q2 的正反馈回路(类似 SCR 的效果)触发,Q1-Vbe 是比较器,Q2 是放电,其通过 R 比率自行关闭R6 远小于 Q2 发射极 R。
R1,R2和Q2射极跟随器只是将锯齿设置为低电压<12V的1/3然后R4将电压拉得太高,所以我会增加它同时R1,R2以减少多余的功率消费偏向 Q2。
我的建议是关于标记示意图。但主要是因为 Ge 晶体管很少见,所以将 Q1 更改为任何 Si PNP,将 R6 更改为 5.6k,并用 PN2222A 或等效物替换死 Q2、Q4。
根本原因故障分析
- Q2 和 Q4 具有熔断器开路基发射极结
- Veb 反向电压略微超过 5V,导致结缓慢损坏,而 R4 在复位时硬驱动 Q2,再次以超过 50mA 的电流对结施加压力。
- Q4 也有高基极电流,当熔断时,R8 变热。
有趣的事实:这两个晶体管看起来像一个 SCR,但不是因为有 4 个端子,不像 SCR 只暴露 3 个端子。第 4 个用于偏置关闭并检测 R6 中的电流,直到顶部导通,并通过来自较低 Q2 的正反馈重新放大,以快速切换到锯齿的尖锐边缘。然后它们都关闭,因为 RC 电路以线性斜坡衰减,然后重复。