尽管它们都涉及更改内存内容，但写作和编程并不是一回事。

• 写入是通过连接到处理器的芯片、在正常的处理器周期内并使用正常的电压来完成的。

• 编程涉及通常不是由处理器产生的条件。可能需要先擦除内存（可能使用紫外线）。它可能需要更高的电压。将芯片从电路中取出并使用专用编程设备对其进行编程可能会更方便。在大多数情况下，编程过程比常规内存访问需要更多时间。底线是正常的处理器写入周期不足以对芯片进行编程。

RAM 可以直接由处理器写入。无需对RAM进行编程。

屏蔽 ROM 既不能写入也不能编程。

但是，各种类型的 PROM 只能编程。正常的处理器写入不会产生编程所需的条件，因此无法写入PROM 。

掩码 ROM。在 Mask ROM 中，没有重新编程。从概念上讲，1 直接连接到 VCC，0 直接连接到 IC 结构中金属化区域的地。但是你确实需要改变芯片的设计并制造新的芯片来改变它。因此，如果您提交可执行代码以屏蔽 ROM，然后发现错误，则必须制造新芯片来修复它。

老式 EPROM（可擦除可编程 ROM）。UV 可擦除可编程 ROM。芯片上有一个透明的窗口。您打开窗户，将其放入紫外线室中，然后将其暴露在紫外线辐射下以将其擦除。然后你盖上窗户，用一个特殊的程序员对其进行编程。之后，除非您再次擦除它，否则它实际上是只读存储器 (ROM)，这通常无法在线完成。

EEPROM。电可擦可编程只读存储器。需要某种特殊步骤来擦除它并对其进行编程（可能是高电压），然后它可以被视为 ROM。如果需要，通常可以在电路中擦除/重新编程，但通常也有一个写保护引脚。如果您通过 WP 引脚禁用写入，则可以将其视为 ROM，因为重新编程的唯一方法是从电路中移除 IC。

OTP 闪存。一次性可编程闪存只能擦除和编程一次。之后，它可以像 ROM 一样对待。有时在 PCB 组装之前编程，有时在之后编程。在回流炉暴露期间丢失内存内容可能是一个问题。

这只是我的想法。

我觉得混淆来自于这样一个事实，即明确可写的内存在其名称中被称为只读。

悖论的解决方案：这些存储器包含不打算或很少打算更改的数据，并且它们大部分时间都作为 ROM 运行。更改其中的数据通常需要特殊条件（紫外线、高压）和相对较长的时间。

例如，闪存在某种意义上类似于 EEPROM，它可以在无需外部电源的情况下存储数据，但主要是由于其易于写入的过程，因此它不称为 ROM。

正如命名经常发生的那样，没有严格的规则，什么设备属于给定类别，并且通常受到新产品标记工作的影响。

这与这项技术的历史有关：ROM（制造时设置的内容）、PROM（一次性可编程）、EPROM（可使用紫外光擦除）以及可写入、可擦除的EEPROM（电子可擦除）、由主机 IC 使用串行或并行接口重写。

例如，我使用了通过 I2C 进行通信的 EEPROM IC 来存储校准数据。我使用 EEPROM 的唯一原因是不时用更新的校准数据重写数据。我想 EEPROM 被称为只读的唯一原因是因为它在擦除/写入过程方面具有耐久性限制（例如 100.000 次擦除/写入周期 -读取根本不是问题）。这与 EEPROM 设备（又名闪存，因为 EEPROM 实际上是 NOR 闪存）中使用的硅技术有关：高压用于对闪存浮动栅极进行编程，隔离栅极的氧化层会退化。然而，有一些磨损均衡机制可以延长内存的寿命，平均分配写入/擦除周期，以便在一个区域中不具有高度集中的 W/E 周期。

那么，为什么是“只读”？因为你必须小心使用它，并且“时不时地”写入内存。如果您将 RAM 存储器替换为 EEPROM 存储器，并且应用程序每秒写入一次数据，则存储器在几天内就会超过耐久等级。你最好使用FRAM内存。长话短说，EEPROM 用于存储设置数据、校准数据等