在最近购买了 MSP430 Launchpad 之后，我一直在玩各种微控制器项目。不幸的是，MSP430G2553 只有 512 字节的 RAM，所以做任何复杂的事情都需要外部存储。
在查看了 SPI 和 I2C SRAM 和 EEPROM 芯片后，我发现了FRAM。
它看起来很完美。提供大尺寸（上面链接的是 2Mb 部件）、低功耗、字节可寻址和可编程、非易失性、无磨损问题、无需显式擦除任何内容，并且实际上比串行 SRAM 便宜（与 Microchip 的部件相比）。
事实上，它看起来太完美了，这让我很怀疑。如果这东西比串行 SRAM 和闪存 EEPROM 好得多，为什么不是到处都有呢？我应该坚持使用 SRAM，还是 FRAM 是一个不错的实验选择？
FRAM 很棒，但是，该技术具有破坏性读取。闪存技术具有有限的写入/擦除周期，但读取周期几乎是无限的。
在 FRAM 中，每个读取周期实际上都会影响内存并开始降级。TI 表示，他们发现 FRAM 具有“5.4 × 10^13 次循环的无磨损耐久性和相当于 85°C 下 10 年的数据保留”。经过一些计算，结果证明这是大约 2 年的恒定读取周期左右（不考虑 ECC）。
现实情况是，对于占空比较低的大多数低功率应用来说，这不是问题。您需要针对您的特定应用对其进行评估。
速度限制也存在，因此如果需要，将添加等待状态。但是，一种解决方案是将代码加载到 RAM，从那里运行（避免 FRAM 上的循环）并避免速度限制。
这里有一篇关于该主题的 E2E 帖子，讨论了一些后果。
TI 提供的关于 FRAM 在安全性方面的优势的优秀应用说明如下
据我所知，它和 SRAM 之间的（主要）区别是它更慢，它和 EEPROM 之间的区别在于它更贵。
我会说这两者都“介于两者之间”。
作为一项相当新的技术，如果它变得足够流行，我预计价格在明年左右会下降一点。尽管它不如 SRAM 快，但速度一点也不差，并且应该适合许多应用程序 - 我可以在 Farnell 上看到 60ns 的访问时间选项（与 SRAM 的低 3.4ns 相比）
这提醒了我——我很久以前就订购了一些 Ramtron F-RAM 样品，但还没来得及尝试它们……
FRAM 唯一真正的问题是，对于真正密集的部分，即推动销量和利润的市场部分，它们还无法在密度上竞争（这要么是产量问题，要么是尺寸问题 - 哪个并不重要）。对于较小的部分（即与相同技术的旧版本竞争），它们做得很好。
所以是的，只要您保持相同尺寸的零件，它就非常适合实验。
如果某些（插入半导体公司）开发出一种增加 FRAM 密度的工艺，它可以取代 DRAM。虽然比 SRAM 稍慢，但它可能会颠覆 DRAM 行业，因为它是 PC 主内存 DRAM 的更便宜、性能更高的替代品。
考虑到 CPU 与内存速度/带宽差距的扩大问题 - 我认为 FRAM 是在直接与 DRAM 竞争中开发的 - 得到了解决。它还使用所有内存中最少的功率，这意味着对于相同的体积，我们可以提取更多的“功率/速度”或潜在的“容量”。
此外 - 在 NVM（非易失性存储器）用例中，FRAM 在所有存储器（闪存、EEPROM 等）中具有最高的耐用性。一个数量级。相信真的有几个数量级！
在易失性用例中，破坏性读取无关紧要。当他们引用 NVM 存储器的耐用性时，可以保证数据保留多年。保留时间仅为毫秒或更短的潜在需求又如何呢？
没有抓住！