要使 Q3 导通，其基极和发射极之间的电压降必须约为 0.6 V，这意味着必须在 R3 上降相同的电压，这意味着流过 R3 的电流必须至少为 I3 = 0.6V / R3 .

当流过 R3 的电流较小时，R3 上的电压降小于 Q3 的最小电压降，Q3 将保持关闭状态。

对于 R3 = 100 Ω，所需电流 I3 为 6 mA。然而，在这个电路中，通过 R3 和 Q3 的电流也受到 R2 的限制：6 mA 的电流会导致 R2 上的电压降为 19.8 V，而这在 15 V 电源下是不可能的。
当 Q2 饱和时，R2 上可能出现的最大压降约为 14 V，这导致最大可能电流约为 14V/3.3kΩ = 4.2 mA。

当 \$V_{EB}\$ 足够大时，PNP 晶体管开启。当您使 \$R_3\$ 太小时，晶体管的 EB 结上没有足够的电压使其导通。

直观地说，\$V_{EB}\$ 与 \$R_3\$ 两端的电压相同。由于 \$R_2\$ 和 \$R_3\$ 大致是一个分压器（\$Q_3\$ 中的基极电流非常小），因此电压为 $$ V_{EB} \approx \frac{R_3}{R_2 + R_3} \cdot \text{15 V} \approx \frac{R_3}{R_2} \cdot \text{15 V} $$ 如果 \$R_3 << R_2\$。显然，当分数 \$R_3 / R_2\$ 太小时，晶体管无法导通。

由于您对 Q3 相对于 R3 的导通行为感到困惑，请考虑仅由基本电阻分压器（R3 和 R2）和 Q3 的基极-发射极结组成的等效电路：

随着时间的推移，我在这里将 R3 从 0 变为 1K。BE 二极管在大约 0.65V 时开启，这对应于 R3 的 150 欧姆。这很容易验证为 15V*150/(3300+150)=0.65V。

由于通过打开的二极管的电流随其两端的电压呈指数变化（肖克利方程），并且由于此处的电流受 R2 限制，因此一旦二极管打开，BE 电压将大致恒定。一旦结打开，Vbe 实际上与具有上限（由 R2 强加）的二极管电流呈对数变化......也就是说，变化不大。请注意，V(BE) 曲线（红色迹线）比 I(BE) 电流（品红色）的转弯更陡...因为它与二极管电流具有对数关系。

在二极管导通之前，BE 电压是 R3 的线性函数，因为它只是与 R2 的电阻分压器。此外，即使在二极管导通之前，I(R2) 也不会发生很大变化，因为导通点仅在 R3=R2 值的 4.5% 左右。但是在 I(R2) 的单独图上 [在下窗格中]，您可以看到它在二极管的导通点之后“更加恒定”。因此，这验证了通常的假设，即一旦 BE 结实际打开，Vbe 是恒定的（因此这里的 I(R2) 也是如此）。在此之前，您可以看到 Vbe 没有任何限制；它仅取决于二极管关闭时 R3 的值。

考虑二极管两端的电压和流动的电流。以下是旧锗二极管 (1N34A) 和硅二极管 (1N914) 的曲线： -

专注于硅二极管（1N914）。其两端电压为 0.6 伏，电流约为 0.6 毫安。现在将该电压降至 0.4 伏。电流降至 10 uA，加上 0.2 伏电压，电流约为 100 nA。

现在，BJT 中的基极-发射极结是一个正向偏置二极管。正向偏置来自您施加在其上的电压，这通常是通过偏置电阻来实现的。在您的电路中，R2 和电源电压定义了可以共同流入基极和 R3 的电流。

当 R2 提供相当数量的电流时，大部分电流流过基极发射结，因为您位于二极管曲线的那部分，并且二极管曲线的那部分具有比 R3 小得多的动态电阻。随着基极-发射极电压降低，其动态电阻变高，R3 开始成为大部分来自 R2 的电流流向的“路径”。

动态电阻是施加电压的微小变化除以电流的变化。您可以查看上面的二极管图并选择一些要点：-

• 在 0.60 伏时，电流可能为 600 uA
• 在 0.62 伏时，电流约为 1000 uA

动态电阻为 20mV/200uA = 100 ohms

• 在 0.40 伏时，电流约为 10 uA
• 在 0.42 伏时，电流约为 11 uA

动态电阻为 20mV/1uA = 20 kohms。

因此，当 R3 降低时，基极发射结变得更加重要，并且结电流迅速下降。鉴于我们可以将晶体管动作近似为具有电流增益的器件，将 R3 降低到某个点以上意味着集电极电流迅速下降，实际上，晶体管被视为关闭。