就像大卫说的那样，超级电容在一定程度上会泄漏电荷，这主要是长期存在的问题。让我们在忽略泄漏的情况下进行所需的计算。
恒定电流下电容器两端的电压降由下式给出

\$ \Delta V = \dfrac{I \cdot \Delta T}{C} \$

或重新安排时间：

\$ \Delta T = \dfrac{C \cdot \Delta V}{I} \$

\$V_{BAT}\$ 通常为 3V，但对于给定的超级电容，最大为 2.6V。RTC 的最小值为 2V，因此允许的电压降为 0.6V。填写其他数字，这给出

\$ \Delta T = \dfrac{0.015F \cdot 0.6V}{500 nA} = 18000 s = \mbox {5 小时} \$

这不是很长，但是您还选择了一个相当小的超级电容。1F/3V 电容会将您的时间增加到 23 天，但我们必须考虑到电容的泄漏，因此实际上这可能需要一周到两周左右。

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只需选择正确的 RTC 和超级电容将显着提高寿命。PCF2123 RTC 可以在低至 1.1 V 的电压下工作，而PAS311HR超级电容器不仅具有 30 mF 的更高电容，而且还可以在 3.3 V 下工作。那么等式变为

\$ \Delta T = \dfrac{0.030F \cdot 2.2V}{110 nA} = 18000 s = \mbox {167 小时} \$

或者只有不到一周的时间。一个 1F/3.3V 的电容可以使用 7 个月，或者考虑到自放电可能需要 2 到 3 个月。

在实践中，很难估计 RTC 将在上限上运行多长时间。问题是超级电容器通常具有高泄漏电流，通常高于 RTC 本身。您会注意到 Panasonic 的数据表甚至没有提到漏电流，而且他们推荐的应用不需要超过一周或一个月的 RTC 备份。

我找不到任何实际列出此规范的超级电容。我能找到的最好的是一个 NEC-Tokin 帽，它说 24 小时后一个 5v 帽自放电到不低于 4.2 伏，而它没有连接。

我曾经在 RTC 上使用过 5v、5 法拉的超级电容（我忘了芯片，这是 10 年前的事了），备份时间大约是 7 或 8 个月。这明显低于我仅使用 RTC 芯片的最大电流消耗规格和电容值计算得出的值。如果我没记错的话，我计算了大约 1.5 到 2.0 年。

老问题，但我想分享另一个见解

我假设人们会在正常电源打开时为超级电容器充电，这会将二极管带到电路中，（见图）减少 RTC 可以使用的有效存储能量，泄漏大量到目前为止没有人提到的。

我在particle.io上找到了它，他们还提到STM micro不允许在以下情况下从VBAT输入吸收电流：您开始为低于Vin-0.6V的电容充电。大多数离散 RTCC 也是如此，这就是您需要 D2 的方式。原因 D1 很明显，您只希望 RTCC 使用超级电容器的存储能量。

选择肖特基将是一个权衡（再次）。您选择的正向电压越低，反向漏电流很可能就越高。例如，BAS-40（您可以在 SOT-23 中找到两个串联配置，带有“S”后缀）如果您在 25C 下以 10mA 为电容充电（请参阅数据表），则会有 0.4V 的压降，并且会在在常温下约为 0.1 uA。如果你选择另一个肖特基，泄漏很容易高出十百倍。这可以解释上一个答案中测量的Kasi值。

我们在产品中使用超级电容器作为备用 RTC。超级电容器的漏电流几乎为 1uA。它甚至不能支持一天的 RTC。最多仅 12-15 小时。但它可以充电不到 5 小时。这是优势之一。