当开关 S1 导通一段时间后，有电流流过电感器 L1，对 L1充电。L1 将包含一些以磁通量形式存在的能量。

一旦 S1关闭，但 S2 尚未打开，L1 将希望电流继续流动，因为电感器会抵抗电流的变化（与电容器抵抗电压变化相比）。

如果不存在肖特基二极管，则流经电感的电流将开始流经与 S2 并联的二极管。意识到 S1 和 S2 仍然处于关闭状态。

与 S2 并联的那个二极管是一个体二极管，它是 MOSFET 的一部分。我的意思是，这种体二极管通常不设计为这样使用，我的意思是，不设计为通过电感器传导电流。它实际上通常可以这样使用，但对于许多 MOSFET，数据表中未提及该二极管的特性和限制，因此在这种情况下，无法保证。此外，这种体二极管通常不够快，并且由于它是硅二极管，因此当电流流动时它会下降到 1 V。这会浪费能源。

通过添加肖特基二极管，电流将流过肖特基二极管，因为它具有较低的正向电压（通常小于 0.5 V）。这需要 S2 内部二极管的应变。此外，肖特基二极管通常比 MOSFET 内的体二极管快得多。这种高速开关还可以节省一些能源。

为什么有一个肖特基二极管连接到低边开关

肖特基二极管与分流 MOSFET S2 的体二极管并联。肖特基二极管的正向压降明显低于 MOSFET 体二极管，恢复速度更快。因此，电流将优先流过肖特基，从而降低功率损耗并提高效率。

S2 或二极管中的二极管是降压转换器工作的基础。

如果 S2 完美切换，则不需要肖特基二极管。
如果 S2 在开启时不定时，则 S1-S2 结的电压将升高。如果存在这种时序失配，肖特基二极管就会导通。

此外，在关闭 S2 和重新打开 S1 期间，需要一定程度的不重叠以避免 S1-S2 击穿。如果需要，肖特基二极管在此期间导通。

FET 中的体二极管具有相同的作用，但它是一个非常差的二极管，具有高电压降和高损耗。如果需要传导，肖特基的损耗要低得多。