是的，这行得通。

优点是低侧开关更容易控制，因为它的输入以地为参考。

缺点是负载不是以地为参考的。如果你确定你有一个浮动负载，那么这是一个非常有效的事情。例如，我通常用类似的电路驱动螺线管。如果负载是反激式开关中变压器的初级，则此拓扑也适用。

例如，这是我目前正在处理的示意图片段。该产品是一种工业设备。

请注意，您可以翻转电感器和负载。这将负载的一侧固定到正电源，从而降低了负载的共模电压摆幅。

在这种情况下，我故意添加了一个电感器，即使负载的电感性足以消除单个脉冲。L6 和 C30 的原因是为了过滤 SolValve-wire 上的电压波动。如果没有这两个组件，那根导线将承载完整的开关脉冲。这将导致大量射频发射。

注意肖特基二极管来捕捉反激电流脉冲。只要电压不太高，肖特基二极管就适用于此。24 V 正好在肖特基二极管有意义的范围内。

您可能想知道为什么当被驱动的螺线管的额定电压为 24 V 时我会担心脉冲，这也是可用的电源电压。我可以打开 Q6 来打开电磁阀。但是，这需要很大的力量。我计划打开 Q6 约 500 毫秒以最初激活螺线管，然后通过使用 PWM 回落到较低的平均电流。将选择 PWM 占空比以确保通过螺线管的保持电流，而不是初始激活电流。许多继电器和螺线管被指定为保持激活所需的电流（或电压）比最初激活它们所需的电流（或电压）少。

这种拓扑结构的主要优点是如何轻松控制低侧开关。在这种情况下，VALVE 信号直接来自 0 至 3.3 V 微控制器数字输出。这种特殊的 FET 额定最大导通电阻为 37 mΩ，栅极驱动电压为 2.5 V。在 285 mA 时，它只会消耗 3 mW。用手指触摸它不足以让您注意到温度升高。

我同意奥林的建议，所以这是你的购物清单：

在 300mA 时，IRFR3910 是多余的，因为您有 2 个风扇，所以选择任何具有低 Qg 的廉价 SO-8 双 FET 以实现低栅极驱动电流。添加栅极电阻以减慢边缘速度以避免 EMI。在 32kHz 时，您不需要 10ns 的切换时间，1µs 就可以了。

使用肖特基二极管实现快速恢复（在不连续模式下也减少 EMI）。

屏蔽电感。

对于低输出电压，您还可以降低频率……但您不太可能使用非常低的输出电压，因为风扇不会启动。

调节输出的反馈呢？由于负载不以地为参考，因此输出的直接分压器将不起作用。您必须使用光耦合器将参考转换为地。

我设计了具有这种精确配置的降压转换器，并且效果很好。在应用方面，主要区别在于您必须将两根电线连接到负载。除此之外，它更容易控制、计算和性能是相同的——甚至更好——因为找到低电阻 N 沟道 MOSFET 更容易/更便宜。