suha说是稳定电压，其实 C3 是为了稳定稳压器的控制回路。产生稳定输出电压的是控制回路，而不是电容器。大多数稳压器，尤其是 LDO 都需要 C3 来防止振荡。 ESR（等效串联电阻）至关重要。

本文档中的图表显示，对于给定的稳压器，需要一个 ESR 为 1 Ω 的电容器；该文档显示了在 150 mA 负载下，ESR 过低的电容器如何发生振荡。

稳压器的控制回路使其具有一定的响应时间，因此负载的突然变化可能会在稳压器反应之前造成输出电压的短暂下降。C2 充当缓冲区以捕捉这些快速变化。

一个 100 \$\mu\$F C1 可平滑输入电压，从而改善输出纹波，但通常不需要稳压器的操作，尽管您将需要一个 1 \$\mu\$F 电容器以保持稳定性，特别是对于 LDO。

Steven 已经解释了 C3 的用途，但该电路在输入侧缺少等效电路。问题是 C1 和 C2 都是大电容，可能具有较差的高速响应和一些 ESR（等效串联电阻）。这对于大容量存储来说很好，但对于提供突然的大电流浪涌来说就不是很好了。请注意，时域中的“突然”与频域中的“高频”相同。

也许 78L05 具有较高的 ESR 输入电容是稳定的，但这通常不是一个好主意。大多数数据表建议您在靠近稳压器输入和输出的物理位置放置一个低 ESR 上限。陶瓷帽很好地符合标准，但不像电解帽那样大尺寸。这就是为什么您有时会看到一个大的极化电容与一个小得多的电容并联，例如该电路中的 C2 和 C3。

如今，100 nF 对于像 78L05 这样的低 ESR 电容来说是愚蠢的。很久以前，这大约是您无需支付更多费用即可获得的最大陶瓷帽。如今，1 µF 甚至 10 µF 在低电压下很容易获得，成本合理。我会在稳压器的输入和输出处放置一个 1 µF 陶瓷，物理位置尽可能靠近稳压器引脚，并带有短而直接的走线。

100 nF 的频率响应仍然比 1 µF 好一点，但即使是今天的 1 µF 也比 20 年前可能设计用于该电路的含铅 100 nF 更好。当你起床超过 100 MHz 左右时，你必须仔细查看这些东西。例如，我曾经在 RF 应用中使用了一个特定型号的 100 pF 电容，因为它在各种较高值的电容中在 RF 频率下具有最低的有效阻抗。但是，这是一个专业问题。对于像 78L05 稳压器这样的东西，只需使用 1 µF 陶瓷就可以了。

它们用于过滤噪声和稳定电压。C1对输入进行滤波，C2和C3提高稳定性和瞬态响应。