我刚刚发现了 ESBT，它似乎是 BJT 和 MOSFET 的混合体：
当我用谷歌搜索时，大多数链接都指向STMicroelectronics，所以我认为目前他们是唯一的制造商。
我注意到许多设备都是高压的（1000V 到 2000V 以上），有些设备采用相当大的封装，
尽管电流相对较低（这个是 7A）。必须与它们在高压（2200V）电路中的应用有关。
有人用过其中一种吗？与 MOSFET 相比有哪些优势（除了可能更高的电压）？
您何时需要 ESBT（发射极开关双极晶体管）？
电器工程
级联
2022-01-15 03:19:38
2个回答
传统上，MOSFET 能够快速切换，但可用于高达 ca。仅限 800 V 或 1000 V。功率 BJT 可以承受 > 1000 V，但速度不快。
ESBT 可作为 ST 的单封装部件提供，但也可以使用两个分立晶体管制成。它利用了级联配置的优势，结合了低压设备非常快速的能力和高压设备阻断大电压的能力。BJT 的基极保持在适中的直流电压，导致其发射极比它低一点不到 1 V。这个低发射极电压是 MOSFET 必须阻止的最大电压。
在考虑关断过程时，这个概念得到了最好的说明：MOSFET 在关断时只需要比 BJT 的小基极电压小一点，从而切断通过 BJT 集电极和自身漏极的电流非常快。一旦电流被 MOSFET 切断，BJT 的集电极可能需要一段时间才能上升到它需要阻断的任何高压（实际上不再需要太多时间，因为电流已经为零），并且减速没有显示其米勒电容（集电极到基极）的影响。
典型应用是在整流 400 V (ac) 总线上工作的反激式转换器，这与 600...800 V (dc) 的设计有关，需要晶体管的阻断电压为 800 V + n * Vout，n 是pri:sec 变压器的绕组比，Vout 是转换器的直流输出电压。每当一个高压 MOSFET 足以完成开关应用中的工作时，这很可能是更经济的方式——无论在级联配置中使用两个不同器件的典型优势这一概念多么优雅. 根据我的经验，ESBT 或类似的 MOSFET 和 BJT 电路是一种利基拓扑。
注意（编辑，2012 年 8 月）： 似乎 ST 的所有 ESBT 设备现在都标记为 NRND（不推荐用于新设计）。资源。自从它们在PCIM Europe 2008上展示/销售以来，确实没有很长时间。
很有意思。我以前不知道这些设备。快速浏览一下，它们似乎是双极运行，采用共同基极配置，FET 与发射极串联，进行电流切换。关键似乎是您可以通过 FET 的速度获得 BJT 的高压操作。由于高压 BJT 往往具有低增益，这意味着基极电源必须提供大量电流，并且必须非常坚固以将基极保持在正确的电压以最小化电压降，但仍保持 BJT 作为晶体管运行。
有趣的是，对于许多应用来说，发射极晶体管也可能是一种更快的开关低压 BJT。事实上，我曾经这样做是为了制作一个 1MHz 的载波线 AM 发射器。那是在大学里，我没有正确组合电压、速度和增益的晶体管。