PNP 晶体管的工作方式与 NPN 相同，但所有电压和电流都是反向的。您将发射极连接到较高的电位，从基极提供电流，主电流流入发射极，然后通过集电极流出。

\$V_\rm{BE}\$ 将是 \$-0.7\,\rm{V}\$ 但如果您使用互补部分，PNP 和 NPN 的大小应该相同。

NPN和PNP晶体管是不同的。电子比空穴更具流动性，这意味着 PNP 不如 NPN。对于 Si BJT，PNP 类型在击穿电压和真正高功率方面落后。对于像 BC337 / BC327 这样的通用设备而言，所有意图和目的都是相同的，但如果您想做一个离线 SMPS，那么在 1KW 下它既不容易也不实用。对于锗来说，NPN 应该更好，但事实并非如此。这是由于制造问题。AC127 不如 AC128 好，而 AD161 不如 AD162 好，是的，这些设备是成对出售的。电子与空穴迁移率之比是 PNP 与 NPN 接近程度的决定因素。这对于 SiC 来说要糟糕得多，因此人们会期待糟糕的 PNP BJT，因此他们可能不会费心制造它们。出于某种原因，PNP 具有较低的噪声，因此它们在差分对输入级中受到青睐。大量的高端驱动芯片证明了PNP不如NPN。

唯一的区别在于晶体管的功能。在接地（公共）发射极配置中，当提供 PNP 晶体管的基极电流（或者更实际地，当基极连接到 5v 电源时）时，不会发生传导，因为 n 区域中的多数载流子是运动的电子被抑制并且没有形成b / w发射极和集电极的路径。因此在发射极结处没有获得o / p。如果从晶体管中移除基极电流，则会在发射极和集电极之间形成一条虚拟路径，该路径对电子流动提供一定的阻力，随后会被基极电流（或电压）改变。如果在这种情况下，Vcc 直接连接到集电极，而发射极通过电阻（可能为 10k）接地，则 Vcc 会在发射极结处出现直接路径。因此，如果在 PNP 的情况下在发射极处采用 o/p，则配置是反相器的配置，而在集电极处，晶体管用作简单的开关或缓冲器。（这与 NPN 配置正好相反。）由于缺乏某些模拟软件，我无法呈现图片视图。但我希望这能达到目的。