如果您想在节点 1 和地之间传导高达 150mA 的电流并且仅下降 1.0V（这不是一个完美的开关），那么您需要假设电流增益通常为 50。如果您想要更低的饱和电压，那么规格表上说用 15mA 给基极供电，即电流增益下降到只有 10，但饱和度只有 0.3V。

因此，假设您对 150mA 感到满意，同时将晶体管饱和至约 1V，您需要将 \$\dfrac{150mA}{50} = 3mA\$ 推入基极。

基极电压大约需要 0.7V，因此剩余部分 (1.8V - 0.7V) 需要通过电阻器 R1。欧姆定律告诉我们 R = \$\dfrac{1.1V}{3mA} = 366.7\Omega\$。

所以选择一个 360 欧姆的电阻。

如果这还不足以满足您的需求，请寻找具有低 \$V_{GS(threshold)}\$ 的 N 沟道 MOSFET - 类似于 1V 或更低。

当前的

根据经验，您制作基极电阻器时，基极电流是使 BJT 进入饱和所需的最小基极电流的好倍数（5、10？） - 您可以从数据表中获得。

电压

您需要知道 \$V_{BE(sat)}\$ - 但这也在数据表中。对于大多数小信号 NPN BJT，假设 0.7 V 可能是安全的。

反抗

一旦你知道电阻两端的电压和通过它的电流，欧姆定律就会告诉你答案。