简短的回答，对于你的电路来说，没关系。

说到陶瓷，有一个肮脏的小秘密。当您向它们施加直流电压时，它们的电容值会下降。有时非常显着，例如下降 50-60%。有人做过经验测试，发现对于相同的电压、电容和电介质类型，较大的封装不会像较小的封装那样遭受太大的损耗。

图片取自这里的 EDN

村田也有一篇很好的文章。要了解更多谷歌：“陶瓷电容器直流偏置”

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您不会在大多数数据表中找到它。您必须访问制造商的网站。对于 Kemet，这是一个示例通过他们的搜索工具选择您的帽子，然后选择KSIM按钮。然后选择直流偏置图。

除了@Aaron 提到的直流偏置效应之外，我认为如果不提及寄生电感对于相同封装尺寸的电容变化很小，并且对于较小的封装来说变化较小，这将是一种疏忽。

因此，虽然对于较大封装中的给定电容，您可能会降低直流偏置效应，但您会牺牲高频响应。

为了获得最佳去耦效果，您通常希望使用尽可能小的封装尺寸（第一优先级）并获得在该尺寸下可以获得的最大电容（第二优先级），即使这意味着由于直流偏置而导致电容大幅降低。额外的电容有助于弥补它（在特定体积中填充的电容越多，直流偏置效应就越差）。

寄生电感是高频去耦的限制因素。如果大电容和小电容具有相同的寄生电感，则在这方面您不会看到大电容和小电容之间有太大差异。

然而，额外的电容确实改善了低频去耦。因此，尽管您可以使用大量并联的、物理上很小的小电容电容器，以实现两全其美，但将尽可能多的电容填充到同一个封装中可以让您使用更少的电容器。

0306 封装中的 100nF 和 4uF 6V 电容在高频下具有相同的性能，因为它们具有相同的电感。在电路中，直流偏置可能会使 100nF 的电容降低 10%，4uF 的电容降低 80%，但 4 uF 的 20% 仍然比 100nF 的 90% 大很多。

直流偏置效应仅对依赖准确或一致电容的信号路径（即信号滤波）和定时应用真正重要。对于去耦，只要电感保持在较低水平，您通常需要尽可能多的电容。

但是OP的电路频率太低了，这无关紧要。在大多数情况下，直到您获得更高的频率（> 100MHz）或信号材料，只需平衡零件的成本和您可以实际使用的尺寸即可。

由于寄生电抗降低，较小的封装尺寸具有更好的高频性能。较大的封装具有更稳定的偏置电容，并且具有更广泛的值范围。因此，作为一般规则，当您需要高频性能时，您应该使用较小的。当你不需要它时，你应该使用更大的包。这就是为什么您有时会看到两个不同尺寸和封装的电容器并联。

在这种情况下，您有一个 cd4017，其上升时间最多为几十纳秒，时钟频率可能为千赫兹。我见过它们根本没有盖帽。使用最容易焊接的东西。如果需要，可以通过孔。

在这种情况下，我会选择 1206 作为不拥挤的板，只是因为它对我的老眼睛更容易。如果板子很拥挤，我会选择0805，甚至更小，以节省空间。

其他答案表明，这里没有任何电气理由偏爱其中一个。