您的栅极驱动电压太低。该 MOSFET 需要 10V 才能完全开启。当 MOSFET 刚刚开始导通时，5V 几乎没有清除 4V 阈值。如果您打算在开关处使用 MOSFET，请勿使用 Vgsth。那是它刚刚开始传导的电压。使用至少与用于获得给定 RDson 的 Vgs 一样高的 Vgs。Vgsth 用于将 MOSFET 用作线性/模拟器件。

根据数据表中的图 1，当栅源电压为 5V 时，漏源电压为 27V（我忽略了螺线管电阻，因为它下降的电压相对较小），MOSFET 在 10A 时饱和。你的 MOSFET 耗散了 270W。

图 1 为 25C。您的 MOSFET 在执行所有这些操作时正在升温，这使得它的运行更像图 2 中传导的更多电流。在这种情况下，它在 30A 时饱和，压降为 27V，大约 800W 的热量正在消散。

列出的结到环境热阻为 62 C/W，即温升分别为 17,000 和 50,000 摄氏度。

此外，查找栅极驱动器并考虑是否需要一个用于 MOSFET，或者直接从极低电流 I/O 引脚驱动栅极电容是否足以满足您的应用。

我敢打赌，问题不在于振荡，而只是最初涌入 MOSFET 的电流将其杀死。当您将超级电容器连接到电路时，它会为寄生 MOSFET 电容器\$\mathrm{C_{oss}}\$和\$\mathrm{C_{rss}}\$充电。根据数据表，\$\mathrm{C_{oss}}\$只有大约 781pF，\$\mathrm{C_{rss}}\$在\$\mathrm{V_{ds}}\时只有大约 211pF $为 25V，但根据数据表的图 5，当\$\mathrm{V_{ds}}\$处于较低电压时，这些值要高得多。

所以，我认为失败的顺序如下：

1. 最初，MOSFET 上没有电压，因此寄生电容值为几纳法拉。
2. 您施加 27V 电压，串联电阻仅为 0.3Ω（加上螺线管的任何电感；我们不知道这个数字）。
3. 相当多的安培电流流入该 MOSFET 以为这些寄生电容器充电。时间很短，但是电流峰值非常高！
4. ...MOSFET 因高浪涌电流而爆炸。

补救措施：

• 在应用你的超级电容之前，慢慢地将\$\mathrm{V_{ds}}\$提高到 27V，和/或，
• 添加一些串联电阻以限制超级电容的最大可能电流。

编辑我刚刚想到另一种故障模式：

1. 与以前类似，但让我们只担心栅极到漏极的电容（仍然是几纳法拉）。
2. 你瞬间施加 27V，所以一堆电荷很容易流过寄生栅漏电容\$\mathrm{C_{gd}}\$。
3. 通过该栅漏电容器的电流很容易在保持低电压的 20k 电阻器上引入一个大电压。
4. MOSFET 导通，由于高浪涌电流而炸毁。

这第二个假设可能是更可能的假设。正如 DKNguyen 指出的那样，即使在正常运行中，您构建的电路也可能会炸毁 MOSFET。

和以前一样，最好的解决方案是找到一种方法来限制峰值电流。

你可能没有足够努力地驾驶大门。GPIO 可能阻抗太高。你想包括一个合适的栅极驱动芯片，运行电压为 12-15v。您可以在 27v 总线上使用线性稳压器。

在这种情况下，R2 只会通过提高栅极驱动阻抗来伤害您。我建议将值降低到 10 欧姆。

如果可能，以 1v 开始测试并逐步提高，确保一切正常。这样可以节省大量的硅。

并且请在你的超级电容上放置平衡电阻。我不知道你的电容的泄漏是什么，但我猜如果你想将它们充电到最大电压，每个电容并联 1k 会更安全。

冒着听起来轻率的风险，有一个关于病人看医生的老笑话：

病人：“医生，我这样做的时候很痛。”

医生：“好吧，那就别这样了。”

在这种情况下，将“最后接地”替换为“执行此操作”。

不要这样做。

始终保持地面连接在一起。如果您必须在两个系统运行时连接它们，请始终先连接地线，然后连接电源，然后连接控制线 - 并确保控制线受到保护，以便在它们浮动时供电不会给您带来问题。

至于您的具体故障模式，Snrub 先生可能是正确的，尽管线圈的电感确实应该充当浪涌限制器。