在撰写本文时，有两个“答案”完全是猜测——而且也是错误的。

当您想要在精确位置诱导击穿并进入受控结构而不是芯片中的其他位置时，这些梳状结构可能会出现。这些在 TOP 金属层中，梳子在那里提供许多锋利的边缘，以促进在该位置进行过高的 ESD 事件。

二极管和 ESD 钳位结构在硅中必不可少。

这些与在 Si 中至少 3-7 层以下金属层的晶体管结构相去甚远。

看看更大世界中的避雷器。你会在那里看到这些完全相同的东西。

称之为腰带和吊带的方法。或者说最后一次机会，实际上 ESD 结构的额定电压要低得多。

它们可能是用于焊盘上的 ESD 保护的大型 p-MOS 和 n-MOS 晶体管。这是一份详细显示各种焊盘设计的参考资料（一般来说，这些信息并不容易获得——IC 制造商似乎将 ESD 保护视为一种商业机密）。图片取自上述pdf：

我不记得 Microchip 曾经制造过内存 EPROM。这是 EPROM 微控制器的一部分吗？

编辑：只看一个可能来自类似时代的 Microchip PIC16C57。大多数引脚（即 I/O）的任一侧都有类似的模式，但仅在仅输入引脚的一侧，例如 T0CKI、/MCLR/Vpp、OSC1。因此，这些结构的一侧似乎是驱动器，另一侧似乎是任何类型的 ESD 保护电路。

这些结构是驱动用作输出的引脚所需的大型晶体管。