在学校，我学习了 PMOS 和 NMOS 晶体管，以及增强型和耗尽型晶体管。这是我理解的简短版本：
增强意味着通道是常闭的。耗尽意味着通道是常开的。
NMOS 表示通道由自由电子构成。PMOS 表示通道由自由孔构成。
增强NMOS：正栅极电压吸引电子，打开沟道。
增强PMOS：负栅极电压吸引空穴，打开沟道。
耗尽型NMOS：负栅极电压排斥电子，关闭沟道。
耗尽型 PMOS：正栅极电压排斥空穴，关闭沟道。
自从我开始以设计工作为生已经六年了，至少有一次我想要（或至少认为我想要）耗尽型 PMOS 晶体管。例如，对于电源的自举电路来说，这似乎是一个好主意。然而，似乎不存在这样的设备。
为什么没有耗尽型PMOS晶体管？我对他们的理解有问题吗？它们没用吗？无法建造？建造成本如此之高，以至于首选更便宜的其他晶体管组合？或者他们在外面，我只是不知道去哪里看？
维基说...
在耗尽型 MOSFET 中，器件通常在零栅源电压时导通。这种器件用作逻辑电路中的负载“电阻器”（例如，在耗尽型负载 NMOS 逻辑中）。对于 N 型耗尽负载器件，阈值电压可能约为 –3 V，因此可以通过将栅极拉负 3 V 来关闭它（相比之下，在 NMOS 中，漏极比源极更正）。在 PMOS 中，极性是相反的。
因此，对于耗尽型 PMOS，它通常在零伏时开启，但您需要在栅极上高于电源电压 3V 或更多电压才能关闭。你从哪里得到这个电压？我想，这就是它不常见的原因。
在实践中，我们现在将它们称为功率 MOSFET 的高端开关或低端开关。他们不喜欢在同一芯片中结合增强和耗尽模式，因为处理成本几乎翻了一番。该专利定义了一些创新和更好的物理描述。我记不得了。http://www.google.com/patents/US20100044796
尽管您的建议和性能是关键问题，但这是可能的。然而，当归结为低 ESR 时，MOSFET 就像电压控制开关，其 ESR 在很宽的直流电压范围内变化，这与双极晶体管不同，双极晶体管在某些情况下的最大峰值为 0.6 至 < 2V。同样对于 MOSFET，在查看负载和源的 ESR 时，将它们视为具有 50 到 100 的阻抗增益是有建设性的。因此，如果您使用 100:1，则考虑您需要一个 100 欧姆的源来驱动 1 欧姆的 MOSFET 和 10 欧姆的源来驱动一个 10mΩ 的 MOSFET，保守的是 50:1。这仅在开关的过渡期间很重要，而不是稳态栅极电流。
而双极 hFE 急剧下降，因此当电源开关饱和时，您认为 10 到 20 的 hFe 是好的。
还要考虑 MOSFET 在转换期间作为电荷控制开关，因此如果您要进行快速转换并避免换向振铃或桥式交叉短裤。但这取决于设计需求。
希望这不是太多信息，并且该专利解释了它如何在设备物理方面适用于所有 PN 型耗尽和增强模式。