我的理解是，对于给定的技术，制造硅晶片的成本几乎是固定的，从某种意义上说，无论你填充多少空间（你可以在单个晶片中挤多少 IC），它都不会改变。 )
一旦晶圆完成，就需要对晶圆进行切割以分离所有 IC。我在这里的理解是，锯子进来并在将它们分开的模具之间切割。
这把锯子的厚度是有限的，即使我在网上找不到图。为了论证，我们假设合理的厚度是 0.5mm。那里有一些非常小的IC。再一次，我无法找到一个精确的数字，但假设我的 IC 是 1x1mm。
现在让我们看一个单元格。
看来，对于每平方毫米的有用产品，我们通过锯掉它们浪费了 1.25 平方毫米，产量甚至小于 50%。
这对于大芯片来说不是问题，因为成品率的百分比下降要小得多，但是业界是如何解决小芯片 IC 的这个问题的呢？对不起，如果数字不准确，这只是一个例子，我不知道它有多现实。
一般来说：是的。当锯子穿过的方式被称为时，您正在通过切割街道失去区域。
但是，您对厚度的假设是错误的。锯子更像是一张薄箔。通常厚度约为 20 微米（比您想象的要薄 25 倍），我见过非常专业的厚度，甚至小于 8 微米。作为比较：典型的键合线焊盘（导线连接到芯片的位置）大约为 30-50 微米大。所以你的锯比芯片的外焊盘环更薄。
如果你手中有切割锯，它会有点摇晃，看起来不像“锯”。它只能切割晶圆，因为它以非常高的速度旋转，从而稳定了刀片。由于厚度小，锯的使用寿命也非常有限。通常他们只能切割几千米才需要更换。
还有隐形激光切割，它具有“零切口”。激光在硅内部产生微小的应力断裂，激光焦点在硅内部的不同高度沿切割通道多次通过。然后晶片被拉伸，应力断裂的平面破裂。没有硅材料损失。
切缝实际上并不为零 - 切割街道必须与激光定位系统的精度一样宽，约为 +/- 5 微米（因此街道为 10 微米宽）。