在 BJT 中，电荷载流子能够穿过反向偏置的 CB 结，因为这些电荷载流子被放置在“错误”的一侧。

• 普通二极管： n 掺杂侧充满自由电子，而 p 掺杂侧充满移动导带空位（空穴）。正向偏压会产生电场，迫使两个群体聚集在一起，从而转动二极管“在。” 反向偏压将它们拉开，形成势垒并“关闭”二极管。

• 三极管CB二极管： p型掺杂基极充满自由电子！那是倒退。如果它们在那里停留很长时间，它们会很快落入孔中，最终产生 EB 基极电流。然而，如果首先它们由于热扩散而漂移到离 CB 结太近的地方，它们将被耗尽层内的大电场抓住，并被猛烈地吸引到 n 型掺杂的集电极区。（快速电荷载流子跨越大电位，由于 Ic x Vcb 而加热晶体管。）

（该示例适用于 NPN。对于 PNP 晶体管，我们反转载流子极性，其中自由空穴已沉积在 n 掺杂基极中，并且它们往往会漂移得太靠近 CB 结并被猛烈地抛入 p-掺杂集电极区。）

结论：如果我们以某种方式将一些 n 侧电荷载流子移到 p 侧，二极管将无法正常工作，反之亦然。BJT 中极薄的基区允许这种情况发生。在这种情况下，二极管开始反向工作，其反向偏置电压导致电流增加，而不是电流减少。但同时它也能正常工作，反向结可防止集电极区的自由电子涌入基区。

请注意，异位载流子可以轻松通过耗尽层。耗尽层实际上从来不是绝缘体。它不像橡胶或塑料那样将电荷固定到位。相反，它更像是一个真空区域，强烈的电场排斥通常的载体，使它们保持在适当的一侧。

但是当我们在二极管中有不合适的电荷载流子时，反向偏置耗尽层中的电场不再像势垒一样。相反，它变成了粒子枪。（嘿，看，NPN 晶体管可以看作三极真空管！耗尽区是真空，掺杂硅形成电极。当然，基极必须非常薄，因为它就像一个穿孔的栅电极！）

简而言之，双极结晶体管由于两个结的物理几何形状而起作用。基极层非常薄，从发射极流向基极的电荷载流子不会立即复合——它们中的大多数直接通过基极并进入反向偏置的基极-集电极结的耗尽区。一旦发生这种情况，该区域的强场会迅速将它们扫到集电极端子的其余部分，成为集电极电流。

基极集电极结是反向偏置的，这意味着没有电流从集电极流向 3 基极。这并不意味着电流不能从集电极流向发射极。当基极发射极 PN 结正向偏置时，它不再像二极管一样工作，只是一个导体，由于 N 掺杂的集电极区充满电子，基极-发射极耗尽区不再存在，电流从集电极流向发射极. 但是集电极和基极之间仍然存在反向偏置的 PN 结，因此没有电流从集电极流向基极。

在 bjt 的情况下，集电极电流的主要原因是基区的大小。与发射极和集电极相比，基极区的面积非常小。以 npn 晶体管为例，我们只需将发射极侧连接到“x”伏特，基极连接到“y”伏特，集电极连接到“z”伏特，其中必须严格遵循 x < y < z 以正向偏置发射极-基极区域和反向偏置集电极 - 基区。由于发射极侧相对于基极为-ve，因此从基极到发射极建立了电场。所以主要的电荷载流子（电子）向基部移动。现在是晶体管的核心。一旦电子进入基极（非常薄且轻掺杂），很少有电子（100 个中的 5 个）有机会与空穴复合。除此之外，由于面积小，电子不能长时间停留在基区。当你（电子）从地面（发射器）跑向家（收集器）时，你不能长时间呆在门（基地）上。你立即穿过大门。电子也会发生同样的事情。它立即传递到集电极-基极耗尽区。所以电荷载流子是耗尽区的电子。由于反向偏压，在该耗尽区中建立的电场从集电极指向基极。因此，电子再次倾向于向集电极移动，从而产生集电极电流。它立即传递到集电极-基极耗尽区。所以电荷载流子是耗尽区的电子。由于反向偏压，在该耗尽区中建立的电场从集电极指向基极。因此，电子再次倾向于向集电极移动，从而产生集电极电流。它立即传递到集电极-基极耗尽区。所以电荷载流子是耗尽区的电子。由于反向偏压，在该耗尽区中建立的电场从集电极指向基极。因此，电子再次倾向于向集电极移动，从而产生集电极电流。

如果你只是在网上搜索，你会发现这个底座像上面那个一样小。