该电路旨在为 LED 提供与电源电压无关的恒定电流。

MOSFET 由 Q1 集电极上的电压导通。一旦通过 R1 的电流（与通过 LED 相同）导致约 0.6V 的压降，Q1 将开始开启并转移通过 R2 的电流。

这将降低 M1 栅极的电压，以控制通过 M1 和 LED 的电流。

负反馈将通过 D1、M1 和 R1 的电流稳定在约 5mA，因为这将导致 Q1 基极电压为 0.6V。

随着电源电压的变化，电流会略有变化，但远小于仅使用电阻器。

也随温度变化，因为晶体管的 Vbe 将具有 ~2.2mV/deg 温度系数。

在 M1 是 BJT（例如 2n2222）而不是 MOSFET 的情况下，可以使用相同的电路。R2 的值将更为关键，因为晶体管需要来自 R2 的一些基极电流。

应该注意的是，这不是电流源最简单的电路。可以使用单个晶体管来驱动具有 5mA 电流的 LED：

除了更简单之外，该原理图还具有电流值取决于齐纳电压（通常有 2-5% 的容差）的优点，而不是Vbe一个晶体管到另一个晶体管的变化幅度高达 20%。还有一个额外的二极管D用于温度补偿，但对于精度要求不高或打算在室内使用的设备，可以省略它。

您发现的原理图更适合大电流应用。因为通过负载的电流由 和 决定Vbe，Q1并且R1通过的电流Q1很小，所以可以实现高负载电流，而不会产生明显的热量（和相关参数漂移）Q1。

然而，对于 5mA 的应用，它浪费了非常好的 N-MOS。