我不知道 CircuitLab 的设计者到底在想什么,但 Sedra 和 Smith 有一个由三部分组成的图(教科书第 6 版中的数字 5.11)介绍/显示了他们的 MOSFET 符号,然后是我将完全引用的解释(出于最终将变得明显的原因):

图 5.11(a) 显示了 n 沟道增强型 MOSFET 的电路符号。观察代表栅极和通道的两条垂直线之间的间距表明栅极电极与器件主体绝缘。p 型衬底(主体)和 n 通道的极性由代表主体 (B) 的线上的箭头表示。这个箭头还表示晶体管的极性,即它是一个n沟道器件。尽管 MOSFET 是一种对称器件,但在电路设计中将一个端子指定为源极,将另一个端子指定为漏极(无需在端子旁边写 S 和 D)通常很有用。这个目标在图 5.11(b) 所示的修改后的电路符号中实现。这里在源终端上放置了一个箭头,从而将其与漏极端子区分开来。箭头指向电流的正常方向,因此表示器件的极性(即 n 通道)。请注意,在修改后的符号中,不需要在体线上显示箭头。尽管图 5.11(b) 的电路符号清楚地区分了源极和漏极,但实际上是施加在器件上的电压极性决定了源极和漏极;在 n 沟道 FET 中,漏极相对于源极始终为正。在源连接到设备主体的应用中,可以进一步简化电路符号,如图 5.11(c) 所示。当身体对电路操作的影响不重要时,该符号也用于应用程序,稍后将看到。箭头指向电流的正常方向,因此表示器件的极性(即 n 通道)。请注意,在修改后的符号中,不需要在体线上显示箭头。尽管图 5.11(b) 的电路符号清楚地区分了源极和漏极,但实际上是施加在器件上的电压极性决定了源极和漏极;在 n 沟道 FET 中,漏极相对于源极始终为正。在源连接到设备主体的应用中,可以进一步简化电路符号,如图 5.11(c) 所示。当身体对电路操作的影响不重要时,该符号也用于应用程序,稍后将看到。箭头指向电流的正常方向,因此表示器件的极性(即 n 通道)。请注意,在修改后的符号中,不需要在体线上显示箭头。尽管图 5.11(b) 的电路符号清楚地区分了源极和漏极,但实际上是施加在器件上的电压极性决定了源极和漏极;在 n 沟道 FET 中,漏极相对于源极始终为正。在源连接到设备主体的应用中,可以进一步简化电路符号,如图 5.11(c) 所示。当身体对电路操作的影响不重要时,该符号也用于应用程序,稍后将看到。
所以他们基本上想用箭头表示当前的流程,而不是写“S”和“D”;这适用于 MOSTFET 的 4 引脚和 3 引脚表示。尽管有问题的图表(也许很有趣,尽管我怀疑它是出于绝对清晰的原因)仍然显示 D 和 S 标签 [对于 (b) 和 (c) 部分],在本书的后续图表中使用简化符号 (c ),那些S&D标签实际上被丢弃了。看起来 CircuitLab 可能出于同样的原因采用了这些符号,因为它们旁边没有显示任何字母。
附录:当我点击OP中第一个图下的“模拟此电路”时,它实际上将我带到了一个带有以下符号的页面:

因此,CircuitLab 似乎同时改变了他们对(默认)MOSFET 符号的看法!(新的符号原来是IEC 60617 符号。)尽管如此,我怀疑 Sedra 和 Smith 会继续使用他们的符号,尽管这种采用受挫......
编辑:根据下面的请求,Sedra & Smith 中确实有一个稍后的数字(第 6 版中的第 5.19 号)介绍了 p 沟道 MOSFET 符号:

对这些的解释要短得多(正如您对类似数字所期望的那样):
p沟道增强型MOSFET的电路符号如图5.19(a)所示。图 5.19(b) 显示了一个修改后的电路符号,其中一个指向电流正常方向的箭头包含在源极端子上。对于源连接到基板的情况,通常使用图 5.19(c) 的简化符号。
他们只是颠倒了与 n 通道情况相关的所有箭头。没有添加任何圆圈或其他任何内容。