我正在查看 AM3354 EVM 的原理图,但我不知道为什么会看到这么多相同值的电容器并联使用,并且通常在处理器或内存周围使用。
我知道不同的电容器会有不同的自谐振频率,这可能有利于噪声过滤,但为什么会有这么多相同的值呢?一个还不够吗?
这个问题是基于相同值的组件,而不是简单地将不同值的电容器组合成一个更大的电容部分。
我正在查看 AM3354 EVM 的原理图,但我不知道为什么会看到这么多相同值的电容器并联使用,并且通常在处理器或内存周围使用。
我知道不同的电容器会有不同的自谐振频率,这可能有利于噪声过滤,但为什么会有这么多相同的值呢?一个还不够吗?
这个问题是基于相同值的组件,而不是简单地将不同值的电容器组合成一个更大的电容部分。
如果您计算 IC 上的电源引脚和相同值的电源去耦电容,您可能会发现 1:1 对应关系。这表明您应该在每个电源引脚上放置一个,尽可能靠近引脚,以尽量减少走线电感的影响。
它们通常只是 IC 各个引脚上的多个去耦电容器,在原理图上的每个引脚上显示它们的物理位置很麻烦。
这并不典型,但是...我曾经不得不更改设计以使用多个较小值的上限,因为机械团队使配合非常紧密,以至于我们可以获得的较大值的上限太高了。我们可以得到更短的上限,但不能赶上截止日期,所以我们下注并使用更小价值、更短的上限,并为演示做好了原型准备。
据我所知,较小的盖子保留在生产中。
因为大电容也意味着大内阻和大电感。通过并联小电容,您仍然可以获得相同的电容,同时与单个大电容相比,总 ESR 更小。此处可能重复:为什么 Vdd 电源网络并联了太多电容器?我们不能把所有的都加起来用一个大电容代替吗?