我正在这个网站 http://www.learningaboutelectronics.com/Articles/Voltage-follower中定义电压跟随器
并提出了一个基本问题,并提出了运算放大器电压跟随器作为解决方案。
没有运算放大器可以解决这个问题吗?
我正在这个网站 http://www.learningaboutelectronics.com/Articles/Voltage-follower中定义电压跟随器
并提出了一个基本问题,并提出了运算放大器电压跟随器作为解决方案。
没有运算放大器可以解决这个问题吗?
这是托尼答案的细微变化。如果你喜欢它,也请点赞他的回答。
在他的电路中,D1 基本上抵消了 Q1 的 Vbe 压降。
在这个电路中,M1 应该抵消 M2 的 Vgs(th)。这个想法是,通过使用 MOS,我们将加载更少的分频器。但是,如果 M1 和 M2 的 Vgs(th) 不紧密匹配,则 Tony 的电路可能会产生更好的结果。
哦,天哪。我看到了二极管/BJT 解决方案和 MOSFET 解决方案。
没有人采用明显的仅限 BJT 的解决方案。
所以我现在也可以添加这些:
在这里,我从一个 PNP 追随者开始,并将其与 NPN 追随者(左侧)级联。或者,将 NPN 追随者与 PNP 追随者(右侧)级联。无论哪种方式,如果您进行设置以便 \ $R_1\approx R_2\$ 则集电极电流将相似,因此 \$V_{BE}\$ 值也相似。(当然,它可以很容易地调整,以更好地调整它。)
这是取消 \$V_{BE}\$ 偏移的好方法。并且在不使用运算放大器的情况下完成运算放大器的工作(最好使用,因为运算放大器将具有千兆欧姆的输入阻抗以及输出端的有源接收器和源。)
如果需要,在输入端放置一个电阻分压器。
这个想法是怎么落空的?我不知道。
大多数这些 BJT 答案的问题是输入阻抗很低。这意味着无论你用什么喂它,它的阻抗都必须更低。此外,驱动电流由上拉电阻和 Hfe 设置,因此您对负载的最小程度非常有限。
电压跟随器实际上有五个要求。
下面的电路提供了一个具有更高输入阻抗和更低输出阻抗的推挽电压跟随器。
然而,寻找具有低 Vgs 和 Rds_on 的匹配对/双 MOSFET 很重要。
不过,我不推荐用这个来跟踪高频信号。
当然,当你添加所有你使用的东西时,你使用的空间和成本比简单的运算放大器电路要多。