我有一个相当简单的情况：N 沟道 MOSFET，其基极连接到 Raspberry Pi 的 3.3V 源极接地，漏极以这种方式连接：+12V ----> Vacuum Cleaner (60W) -----> Drain。电子商店的人告诉我，这个晶体管（1D33AA BUZ11）会承载大电流没问题，但正如我在问题中所说，它变得非常热，真空吸尘器缓慢达到全功率（但晶体管越热，提供更多电力）
为什么我的 N 沟道 MOSFET 会变得非常热，并且它提供给设备的功率会随着温度的升高而增加？
电器工程
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2022-01-17 03:33:51
1个回答
简短的回答：你没有给它足够的栅极电压让它完全打开。40m\$\Omega\$ 的保证 Rds(on) 需要 10V。
BUZ11是一款精细的 MOSFET，但它并非设计为在 3.3V 驱动电压下工作。栅极上的电压为 3.3V（相对于源极），它只会部分开启，并且会在重负载时开始快速加热。阈值电压具有负温度系数，因此温度越高，越容易开启。不用说，这不是操作 MOSFET 的好方法。
您可以得到一个具有 3.3V 或更低驱动电压的保证导通电阻的 MOSFET，或者提高栅极驱动电压以允许您使用像 BUZ11 这样的部件。
在任何价格下，可能没有任何 MOSFET 比具有 3.3V 驱动（尤其是 50V 额定电压）的 BUZ11 更好。如果您可以将额定电压降低到 20V，则可能有许多可用 - 但在 TO-220 中，我只看到 IRL3103PBF，这可能还可以，但不能保证在 3.3V 驱动。
您可以简单地使用晶体管来驱动 MOSFET 栅极，如下所示：
这也有助于保护您的 Raspberry pi 免受某些类型的故障和不良连接的影响。在直接驱动的 MOSFET 上漏极短路的栅极会释放烟雾。
请注意，“高”=“关”，因为 BJT 充当反相器。如果不希望这样，您可以添加另一个 BJT 逆变器。