我正在尝试使用 MOSFET 控制带有 PWM 的加热器线圈（电阻约为 0.9 欧姆）。PWM调制器基于LM393，MOSFET为IRFR3704（20V，60A）。
如果我用 1k 电阻代替加热器，一切运行良好，测试点 CH1 和 CH2 的波形几乎是方形的。但是当我在方案中放置一个实际的加热器时，在电压穿过 Vth 的那一刻脉冲的下降沿会发生振荡（这里混合了通道：黄色示波器通道连接到测试点 CH2，青色通道连接到 CH1）。振荡幅度略大于电池电压，最大值达到 16V。我主要是微控制器专家，我对这种电路的了解很差。是加热器电感的影响还是其他原因？如何反对？
它可能不是主要来自电感。
更有可能的是，从电池中拉出接近 8 安培的电流会对电池电压产生显着影响，这会改变生成 PWM 信号的比较器周围的开关阈值。
您可能需要从低噪声电源为 LM393 和 R3 供电，或者从电池进行 RC 滤波（比如 50 欧姆和 1000 uf），或者更好，从 5V LDO 稳压器（带去耦）。
即使 LM393 由 5V 供电，您也可以保持上拉电阻器 R1 连接到完整的电池电压以尽可能硬地打开 FET。
由于电压峰值超过电池电压，电感肯定会产生一些影响，因此绝对推荐使用反激二极管。
很可能是电感。mosfet 关闭得非常快，你会得到一个 V = L(di/dt) 电压尖峰。这会打开你的 MOSFET 中的齐纳保护，然后电流会在电路的其余部分流动
反激二极管可能会解决问题。
将二极管与加热器元件并联，阴极连接到正极端子。
现在，当它关闭时，电流将通过二极管找到一条无害的路径。
小心。二极管会随着每个循环而升温。
从你的示波器轨迹来看，振荡时间约为 100us
电流 = 约 10A
二极管正向偏置 V = 0.7V
E = VIT = 700 uJ（我知道这个计算是作弊的，它可能不到这个数量的一半）
P = E*F (F = 开关频率)
如果 F = 1kHZ 那么 P = 700mW
要选择您的二极管，请将其额定功率（以瓦特为单位）乘以您的开关频率（以 kHz 为单位）。
我可以在您的电路中看到一个非常重要的缺陷：LM393 有一个集电极开路输出。因此，当输出变为“高”时，它实际上只变为“非低”并通过 R1=10k 上拉。流入 MOSFET 栅极的充电电流也通过 R1 提供，因此开启速度极慢。这对于 1k 虚拟负载来说不是问题，但是在负载电流很大的情况下，MOSFET 寄生效应（例如米勒效应）可能会导致您观察到的那种问题。
您需要修改电路以通过低阻抗路径（可能通过双极图腾柱驱动器）更快地为 MOSFET 栅极充电，请参阅 TI 应用说明“高速 MOSFET 栅极驱动电路的设计和应用指南”(SLUP169)以供参考。
添加小的正反馈（通过电阻器）以提供小滞后（通过 R3 在锯齿波形点线上的点设置
例如，节点 3 和 1 U1 之间的电阻器 10MB 正反馈用于 histerese - 电源（电池）的安全波动
在电源 R3 上添加二极管 + 滤波器 RC
改变电压电池在 R3 上设置另一个开关点并产生摆动 Q1
并通过电源 - 振荡频率产生正反馈电路
（对不起语言）