我对你的架构有点怀疑。我使用 ALVC256 芯片进行 3V3-5V 转换，即使采用这种可能正确的架构，也存在一些问题，在某些情况下，可能会导致设备故障。

考虑以下：

• 50 MHz 是 20 ns 周期，您要使用的 SRAM 是 15 ns 读/写周期。您只有 5 ns 的 slack 时间来确保总线（地址和数据）稳定并选择合适的存储单元进行访问；
• 阻抗不匹配会导致 SRAM 侧出现尖峰和误报，从而扼杀 5 ns 的松弛并可能访问（读取/写入）错误数据。这可能需要非常精细的调整才能在所有条件（例如温度、电源条件）下正常工作。

如果您想要运行良好的设备，那么

• 获取 3V3 SRAM，并将其连接到 FPGA，无需任何转换器，使用串联电阻（您可以更改以调整阻抗）；
• 或者将频率条件放宽到 20 MHz（50 ns 周期）。

• 3.3V → 5V：由 5V 供电
  的 74HC T 244（数据表：最低高电平输入电压）应该可以工作。
• 5V → 3.3V：
  由3.3V供电的74HCT244和串联输入电阻通过保护二极管限制输入电流。

该解决方案需要为每个方向启用每个缓冲区（正如您在上一句中提到的那样）。