这叫击穿。这是因为您使用相同的信号来控制每个半桥的高端和低端晶体管。由于趋势是关闭比打开需要更长的时间，因此在某个时间点，它们都处于开启状态，从而产生短路。

要么对 MOSFET 使用独立控制，因此您可以在关闭一个 MOSFET 和同一个半桥中的一个 MOSFET 之间有一个小的时间延迟，以便在另一个 MOSFET 开始打开之前给 MOSFET 关闭足够的时间来完全关闭，或添加门电路以使开启比关闭更慢。较大的串联栅极电阻器会减慢开启和关闭时间。您可以使用二极管，以便充电使用与放电不同的电阻器来独立调整开启和关闭时间。

此外，您正在切换一个感性负载，当中断电流时会产生电压尖峰，因为电感试图利用塌陷磁场中的能量通过 V = I(dL/dt) 将电流保持在相同水平。由于这是一种 H 桥配置，因此您应该使用与 MOSFET 反并联的反激二极管，以便为感应反激电流提供一条流向平稳衰减的路径，因此不需要产生大的电压尖峰。或者，您需要将一个双向 TVS 二极管与您的电感并联，这将做类似的事情（单向 TVS 二极管或任何单向二极管在这里都不起作用，因为您的电感在两个方向上都经历了电流）。

注意：半桥不同于 H 桥。H桥由两个半桥组成。

驱动器电路要求应避免 P 通道和 N 通道的常见低 Rds 时序，串联连接，金属氧化物（半导体）场效应晶体管（MOSFET），如您的电路示例中的实际实施。