MOSFET 归一化导通电阻和输出特性之间的差异

电器工程 场效应管 数据表
2022-01-19 01:12:56

在 STP36NE06 的数据表中,它有两个似乎相互矛盾的图表:

在左图中,对于Vgs=10vId=18A,曲线的斜率表明 Rds 约为 0.05 欧姆。(Vds 约为 1v)。然而,右图表明它将在 0.6 到 1.8 欧姆之间。

我在这里不明白什么?

谢谢

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2个回答

“标准化”是您所缺少的。RH 图上的 Y 轴是无量纲的——它是一个比率。

如果MOSFET 在 ~27°C 时的 RDS(ON) 为 43mΩ,那么它将是 100°C 时的 1.45 倍和 ~= 时的 0.6 倍-40°C 时为 2580 万Ω

我使用的一个粗略的经验法则是数据表 RDS(ON) 在我想要操作的最高结温下会高出约 50%。这是因为它通常在 25°C 的结温下引用。他们通过使用短脉冲电流来测试这一点,因此结不会有机会升温。因此,像许多数据表编号一样,大字中的 RDS(ON) 编号会误导粗心的人。

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缺少的是“归一化”的含义...... RH 图上的 1.0 不是 1.0 欧姆,而是 1.0* 电阻的正常值。因此,该图显示了电阻如何随结温成比例变化。

归一化图的价值在于它更容易应用于不同的相关情况——可能是不同 Vgs 或不同 Id 处的 Rds(on)。