大多数半导体器件设计为在低电压下工作，而显着高于其设计工作电压的电压很容易损坏组件。你是对的，这确实与尺寸有很大关系——现代集成电路内部的元件非常靠近，即使施加相对较小的电压也会损坏薄的氧化物层，并导致半导体结在它们发生时击穿并导通。不应该。真空管只是玻璃管内的金属片。那里没有多少可以损坏的。在大多数情况下，它们已经在高压下运行。电磁脉冲只会在屏蔽不足的设备中产生大电压。

你只需要考虑两件事：

(i) 感应电压水平

(ii) 故障模式。

现代集成电路中使用的半导体具有相对较低的击穿电压。这种击穿还倾向于以“穿通”故障（绝缘层或 PN 结）的形式留下永久性损坏。

还要考虑到现代集成电路包含数百万个半导体器件，但只需要其中一个就可以击穿，从而使整个芯片无用。

另一方面，阀门在更高的电压下运行。由于绝缘是真空的，因此电极之间的闪络不太可能产生任何永久性损坏。EMP 可能会暂时影响电路的操作。

阀门的内部结构很可能通过充当法拉第笼的最外层金属板与 EMP 隔开。

跟踪 King 等人在“信号”杂志中搜索 1980 年的文章：这是对 King 文章的完整引用：

船长。迈克尔·A。King、美国陆军和 Paul B. 弗莱明，“核武器对通信能力影响的概述”，信号。第 34 卷，第 4 期，1980 年 1 月，p。60 .

许多大学图书馆拥有“信号”杂志。您可以通过在 Worldcat.org 中搜索找到这些库。您当地的公共图书馆可以使用图书馆员所谓的“馆际互借”，从任何大学图书馆索取这篇文章的免费副本。

我不是专家，但我很确定这是因为它的大小；固态电路使用非常小的集成线，很容易因 EMP 的爆发而过载到断点。然而，真空管肯定要大得多（晶体管是一个突破，因为它的尺寸！），所以它有理由认为它需要一个更强大的 EMP 来使其电路过载。