我想，是时候了解 MOSFET 晶体管的工作原理了……
假设；
问题 #1
哪些驾驶技术是可行的？我的意思是，这四个电路中的哪一个可以正确应用控制信号？
问题 #2
加载和卸载电阻器的控制信号（CS1、CS2、CS3、CS4）的电压电平范围是多少？（我知道必须单独计算开启和关闭状态的确切边界。但我要求近似值以理解工作原理。请给出类似“在电路（2）中，晶体管在CS2低于397V时开启并在高于 397V 时关闭。 "。)
正确驱动时，所有电路都是可行的，但 2 和 3 更常见，更容易驱动良好并且更安全，不会做错事。
我不会给你一组基于电压的答案，而是给你一些一般规则，一旦你理解了它们就会更加有用。
MOSFET 具有安全的最大 Vgs 或 Vsg，超过该值可能会被破坏，这通常在任一方向上大致相同，并且更多地是结构和氧化层厚度的结果。
当 Vg 介于 Vth 和 Vgsm 之间时，MOSFET 将“导通”
这对控制上述电路中的 FET 是有意义的。
将电压 Vgsm 定义为栅极可以安全地高于源极 +ve 的最大电压。
将 -Vgsm 定义为 Vg 相对于 s 可能为负的最大值。
将 Vth 定义为栅极必须作为源才能打开 FET 的电压。对于 N 沟道 FET，Vth 为 +ve，而对于 P 沟道 FET，Vth 为负。
所以
电路 3
MOSFET 对于 +/- Vgsm 范围内的 Vgs 是安全的。
MOSFET 在 Vgs> +Vth 时导通
电路 2
MOSFET 对于 +/- Vgsm 范围内的 Vgs 是安全的。
MOSFET 在 - Vgs > -Vth 时导通（即，栅极比漏极负 Vth 幅度更大。
电路 1
与电路 3 完全相同，
即相对于 FET 的电压相同。仔细想想就不足为奇了。但是 Vg 现在将始终为 ~= 400V。
电路 4
与电路 2 完全相同，
即相对于 FET 的电压相同。再一次，当你想到它时也就不足为奇了。但是 Vg 现在将始终低于 400V 电压轨 ~= 400V。
即，电路中的差异与 N 通道 FET 的 Vg wrt 接地电压和 P 通道 FET 的 +400V 电压有关。FET 不“知道”其栅极的绝对电压——它只“关心”与源电压有关的电压。
相关的——经过上面的讨论，一路上会出现：
MOSFET 是“2 象限”开关。也就是说，对于一个 N 沟道开关，在“4 象限”中栅极和漏极相对于源极的极性可以是 + +、+ -、- - 和 - +，MOSFET 将开启
要么
2016 年初添加：
问：你提到电路2和3很常见，这是为什么呢？
开关可以在两个象限中工作，是什么让一个选择P通道到N通道，高端到低端？–
答：如果您仔细阅读，这在原始答案中已基本涵盖。但 ...
所有电路在打开时仅在第一象限运行：您关于 2 象限运行的问题表明对上述 4 个电路的误解。我在最后（上图）提到了 2 象限操作，但它与正常操作无关。上述所有 4 个电路都在其第一象限中运行 - 即 Vgs 极性 = Vds 极性在开启时始终处于工作状态。
可以进行第二象限操作，即
Vgs 极性 = - 打开时始终保持 Vds 极性，
但是由于 FET 中内置的“体二极管”，这通常会导致并发症 - 请参见最后的“体二极管”部分。
在电路 2 和 3 中，栅极驱动电压始终位于电源轨之间，因此无需使用“特殊”布置来获得驱动电压。
在电路 1 中，栅极驱动器必须高于 400V 电压轨才能获得足够的 Vgs 来开启 MOSFET。
在电路 4 中，栅极电压必须低于地电压。
为了达到这样的电压，经常使用“自举”电路，通常使用二极管电容器“泵”来提供额外的电压。
一种常见的安排是在桥中使用 4 x N 通道。
2 个低侧 FET 具有通常的栅极驱动 - 例如 0/12 V，而 2 个高侧 FETS 需要（此处）节省 412V，以便在 FET 开启时为高侧 FETS 提供 +12V。这在技术上并不难，但要做的事情更多，出错的地方更多，必须设计。自举电源通常由 PWM 开关信号驱动，因此您仍然可以在较低的频率下获得上栅极驱动。关闭交流电，自举电压开始在泄漏下衰减。同样，不难，只是很好避免。
使用 4 x N 通道“很好”，因为
所有通道都匹配，
相同 $ 的 Rdson 通常低于 P 通道。
注意!!!：如果包装是隔离标签或使用绝缘安装，所有这些都可以一起放在同一个散热器上 - 但请务必小心！
在这种情况下
较低的2有
在漏极上切换 400V 和
源接地，
门在 0/12V 说。
尽管
上2个有
排水管上的永久 400V 和
在源上切换 400V 和
门上的 400/412 V。
体二极管：通常遇到的所有 FET* 在漏极和源极之间都有一个“本征”或“寄生”反向偏置体二极管。在正常操作中，这不会影响预期操作。如果 FET 在第 2 象限中运行（例如，对于 N 通道 Vds = -ve，Vgs = +ve）[[pedantry: 如果你愿意，请称之为第 3 象限 :-) ]] 那么当 FET 导通时，体二极管将导通当 Vds 为 -ve 时关闭。在某些情况下，这是有用且理想的，但它们不是常见的，例如 4 个 FET 电桥。
*由于形成器件层的基板是导电的，因此形成了体二极管。具有绝缘衬底的器件（例如蓝宝石上的硅）没有这种固有的体二极管，但通常非常昂贵且专门）。
这是一个很好的问题！其他答案遗漏了一些细微差别，所以我想我会插话。
简短的回答如下：
你什么时候不使用这个拓扑？这样做的唯一主要原因是，如果您的负载需要将一个端子连接到电路接地，以确保电气安全或最大限度地减少电磁辐射/敏感性。一些电机/风扇/泵/加热器/等必须这样做，在这种情况下，您将被迫使用高端拓扑 #1 或 #2。
N 沟道高端开关（拓扑 #1）比同等尺寸/价格的 P 沟道高端开关性能更好，但栅极驱动更复杂，并且必须与 N 沟道 MOSFET 源极相关终端，随电路开关而变化，但有专门的栅极驱动 IC 用于驱动高端 N 沟道 MOSFET。高压或大功率应用通常使用这种拓扑结构。
P 通道高边开关（拓扑 #2）的性能比同等尺寸/价格的 N 通道高边开关更差，但栅极驱动很简单：将栅极连接到正轨（您的电源中的“+400V”绘图）将其关闭，并将栅极连接到正轨以下 5-10V 的电压以将其打开。嗯，主要是简单的。在低电源电压 (5-15V) 下，您基本上只需将栅极接地即可打开 MOSFET。在较高电压 (15-50V) 下，您通常可以使用电阻器和齐纳二极管创建偏置电源。高于 50V，或者如果开关必须快速开启，这将变得不切实际，并且这种拓扑结构不太常用。
最后一种拓扑 #4（低侧 P 沟道开关）是世界上最差的（器件性能更差，栅极驱动电路复杂），基本上从未使用过。
我在博客文章中写了更详细的讨论。
您没有指定控制电压是否相对于地，或者它是否可以浮动。
电路 3 是最实用的 N 通道方案。源相对于地处于固定电压，这意味着您可以提供固定的栅源电压来控制它。MOSFET 将在 +2.5 到 +12V 以上的任何地方“开启”，具体取决于设备。
电路 1 很棘手。当 MOSFET 关闭时，源极有点像一个浮动节点（想象一个电阻分压器，顶部电阻很大），位于接近零的某个位置。当 MOSFET 开启时，假设饱和，源极将非常接近 400V。移动源意味着栅极对地控制电压也必须移动以保持 MOSFET 导通。
如果您将控制电压参考到 MOSFET 的源极而不是接地，则电路 1 会更好。如果您打算使用导通时间足够短的 PWM 信号来驱动 MOSFET 以允许使用脉冲变压器或电荷泵驱动器，那么这很简单。将控制电压固定到 MOSFET 的源极意味着 MOSFET 可以随意上下浮动，而不会影响驱动。
电路 2 与电路 3 一样简单。如果控制电压以地为参考，证明从栅极到地的 397.5V 到 388V（从栅极到源极的-2.5 到 -12V）将打开 MOSFET。源是固定的（始终为 +400V），因此控制栅极意味着您只需要一个固定电压。（除非您的 400V 总线崩溃，但这是另一个问题）。
与电路 2 一样，电路 4 也很棘手。当 MOSFET 关闭时，源极接近 400V。当它打开时，它将下降到接近零。可变源意味着相对于地的可变栅极电源，这又是一个混乱的命题。
一般来说，尽可能保持源固定，或者如果它们必须浮动，请使用浮动电源来控制它们。