当 MOSFET 中存在通道时，电流可以从漏极流向源极或从源极流向漏极——这取决于器件在电路中的连接方式。传导通道没有固有极性——在这方面它有点像电阻器。

然而，MOSFET 内部的本征体二极管与传导通道并联。当存在传导通道时，二极管被分流，电流流过电阻最小的路径（通道）。当通道关闭时，二极管处于电路中，将根据漏源电流极性导通或阻断。

如您的图片所示，有 N 通道和 P 通道器件，以及增强型和耗尽型器件。在所有这些情况下，电流可以从源极流向漏极，也可以从漏极流向源极——这只是器件在电路中的连接方式的问题。

您的图片未显示器件中的本征二极管 - 朝向或远离栅极的箭头指示通道类型（N 通道指向栅极，P 通道指向远离栅极）。

该符号显示了漏极和源极之间的固有二极管。

N 沟道增强型器件的栅极电压需要高于源极电压，以形成传导沟道。（增强设备没有自动通道，需要栅极电压来创建通道 - 因为它是 N 通道$V_{gate} > V_{source}$发生这种情况。）

P 沟道增强型器件的栅极电压需要低于源极电压，以形成传导沟道。（增强型设备没有自动通道，需要栅极电压来创建通道 - 因为它是 P 通道$V_{gate} < V_{source}$发生这种情况。）

N-channel depletion 器件默认有一个通道，并且需要栅极上的电压低于源极的电压才能关闭通道。通过将栅源电压提高到0以上，可以在一定程度上拓宽沟道。

P 沟道耗尽型器件默认也有一个沟道，需要栅极上的电压高于源极的电压才能关闭沟道。通过将栅源电压降低到0以下，可以在一定程度上拓宽沟道。

常规电流在 N 沟道 MOSFET 中从漏极流向源极。
箭头显示了 MOSFET 中的体二极管方向，在源极和漏极之间通过衬底有一个寄生二极管。蓝宝石上的硅中缺少该二极管。

图 2a 是一个 JFet 如此不同的拓扑。

2d 是没有体二极管的 MOSFET。一世'

\2e 是耗尽型 FET - 它在没有栅极电压的情况下开启，并采用负电压来关闭 FET。因此二极管具有其他极性，否则只要有栅极电压，体二极管就会导通。

我没有上过任何半导体课程，但是如果您对受限于电路级操作的答案感兴趣，那么快速答案是：

使用NMOS时，电流从漏极流向源极（箭头指向远离源极的器件） 使用PMOS时，电流从源极流向漏极（箭头指向源极处的器件）

在上图中，P 通道一词是指在门下方形成的通道类型。P表示沟道形成在P型半导体上，而N表示N型半导体。

关于混乱。你是对的，这令人困惑。您所看到的被称为源体绑定终端。在某些应用程序中，这很有用（请参阅下文了解更多信息。）暂时忽略它。

通常，在检查模拟电路原理图时，通常会在晶体管的源极端子上看到箭头。

在检查数字晶体管级示意图（与门级相反，即与、或、异或门）时，通常没有箭头。区别在于PMOS在Gate端会有一点气泡，而NMOS不会有气泡。请放心，它们实际上是模拟和数字应用中的相同晶体管（PMOS 和 NMOS）。但是它们的操作方式非常不同。

初学者 的趣事 晶体管是一个四端器件：栅极、漏极、源极和体。作为对微电子学的介绍，通常最初忽略体终端，但只是为了帮助您熟悉主要方程。然而，有一种被称为体效应的半导体现象，它在计算晶体管的静态工作点时给手工计算增加了一层复杂性（静态工作点是你会遇到的一个重要词；这只是一个幻想表示相关晶体管的 IV 或电流电压工作点的词。）

对晶体管进行建模是一项非常复杂的工作，本身就是一门电气工程或应用物理学学科。任何微电子学入门教科书通常都会以一章开头提到 pn 结（一种掺杂的硅半导体）。

如果你真的很感兴趣，并且对二次方程和代数有基本的了解，你可能想看看Behzad Razavi写的一本很棒的入门教科书。我希望我在大学学习微电子学时有这本书。但是，它假定您了解基本电路（即电阻器、电容器和电感器）。

是的，电流可以从漏极流向源极，反之亦然。为了进一步简化它，我想补充一点@Adam Lawrence 提到的内容。

我相信你对 CMOS 晶体管的横截面很熟悉。从中心垂直线可以看出，Mosfet 的横截面是 EVEN。因此，无论哪个（在 nmos 两侧的两个端子中）端子的电压高于另一个端子，都将成为您的漏极（对于 NMOS），而另一个电压较低的端子将成为源极（对于 nmos）。pmos 则相反。

尽管如此，在购买/处理内部散装已连接到源极（对于 nmos）或内部连接到漏极（对于 pmos）的离散 3 引脚 Mosfet（即SiHG47N60EF ）时要小心。这使得 mosfet 引脚按照数据表中的说明进行预定义。在这种情况下，对于 nmos 来说，较高电压端是漏极，而较低电压端是源极仍然是正确的。但是，如果您向数据表中提到的预定义源施加更高的电压，则阈值电压将与数据表中提到的不同。而且您的晶体管的行为与数据表中指定的行为不同。