在瞬态条件下，栅极电流将不为零，因为您需要对栅极电容充电（或放电），这需要电流。栅极电流越大，栅极电压变化越快，器件开关越快。一旦完成开关转换，栅极电流就会接近零（主要是漏电流）。

对于低开关 (PWM) 频率，rms 栅极电流会很低。较高的开关频率将增加均方根电流。

最重要的例外通常不是静态泄漏，而是在对栅极电容进行充电或放电以将其打开或关闭时。

通常需要大约 0.1 到 1 安培的栅极电流来快速对栅极电容进行充电和放电。

太快会导致额外的损失。
太慢会导致 FET 在关断和硬导通之间处于有源电阻状态，并且相对于通过适当设计可以实现的能量消耗非常大量的能量。

这就是为什么需要栅极驱动器的原因，以及为什么您不能只从通常能够提供 1 至 30 mA 电流的微控制器引脚以高频驱动 MOSFET 栅极，即使在电压要求得到很好满足的情况下也是如此。

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相关 - MOSFET 栅极驱动电流：

通常不理解以 10 kHz 以上开关频率的 MOSFET 可能需要 0.1A - 1A 范围内的栅极驱动电流来实现足够的开关时间——这在一定程度上取决于应用。在该范围的较高端的许多 10 kHz 栅极驱动将是常见的。

MOSFET 数据表指定栅极电荷和栅极电容。电容通常在“几纳法”范围内，栅极电荷通常为几十纳库仑，输入电容通常为纳法或几。

使用 Digikeys 参数选择器，我只是对 60-100 V Vds 和 10-20 Amp Ids 的 N 通道 MOSFET 进行了子集化。
栅极电荷低至 3.4 nC 和输入电容 = 256 pF，
高达 225 nC，输入电容为 5700 pF
，底部中位数四分位数 = 18 nC 和 870 pF，
顶部中位数四分位数 = 46 nC 和 1200 pF

该电荷必须被“泵入”和“泵出”栅极电容。
如果您以 10 kHz 的频率进行 PWM，则 1 个周期 = 100 uS，因此您希望切换时间只是其中的一小部分。如果您想将几个 nF 充电或放电到/从零到通常为 3V 到 12V，那么至少有 100 毫安的驱动是必要的。

1 库仑 = 1 安培秒，因此 10 nC 需要 1 A 平均值用于 0.01 uS 或 0.1A 平均值用于 0.1 uS。上面带有 225 nC 栅极电荷的可怕异常 MOSFET 在 1A 下充电需要 0.225 uS，在 0.1A 下充电需要 2.25 uS。这个 FET 比大多数都差得多的原因是 i 是“特殊的 - 它是一种100V 16A 耗尽模式器件，通常在没有栅极电压的情况下开启，并且需要负栅极电压才能将其关闭。但是，仍然可以”被这个 60V、20A 的部件和 100+ nC 栅极电荷捕获。

这个更正常的 60V 14A 部件具有 18 nC 的最大栅极电荷。从微控制器端口引脚以 10 mA 驱动它，它将需要！1.8 uS 为栅极电容器充电 - 在 10 kHz 时可能可以接受，而在 100 kHz 时非常糟糕。当“正确驱动”时，上升和下降开关时间分别为 110 和 41 nS，您希望在接近其上限的任何地方切换它的栅极充电时间要好于 ~ 2 uS。

例子：

200 nS 高侧栅极驱动器：

该电路的来源不确定 - 我认为是通过 PICList 成员。可以检查是否有人关心。请注意，该电路比明显的要“聪明”得多。（Olin 喜欢这里使用的输入安排）。R14 上的 ~= 3V 摆幅导致 R15 的摆幅约为 15V，因此 Q14/Q15 基极的摆幅从 +30V 到约 +15V，如果高端栅极驱动到 P 沟道 MOSFET，则提供 ~15V。

检查数据表。对于这个 MOSFET，他们指定了最大 100nA 的栅源漏电流。例如，如果您从运算放大器驱动 FET，您可能会忽略这一点。如果您使用的是带有非常低电荷的静态电压，则 100nA 可能太多了。这完全取决于您的应用，但在大多数情况下，这种静态电流可以忽略不计。打开和关闭将导致更大的电流峰值对栅极电容进行充电和放电。

假设情况：假设您想要实现由非常微小的电荷产生的电压的仪器/感应。（即使是通过非常高阻抗的微小电流也可能耗尽电荷。）