当 MOSFET 导通时（即 Vgs 足够大时；请查看数据表），MOSFET 的行为就像一个电阻器。在数据表中查看该电阻器的值。它被称为 Rds(on)。它可能是一个非常小的电阻，远小于欧姆。一旦知道了电阻，就可以根据流动的电流计算电压降。

MOSFET：当栅极电压相对于阈值电压 Vth 较大时，从漏极到源极的电压降与电流呈线性关系（对于 MOSFET 的小电压 << Vth），因此它的行为类似于电阻器。当 MOSFET 增强更多时，电阻会更小，因此 n 沟道 MOSFET 栅极上的电压相对于源极而言更正。等效电阻对于小型 MOSFET 可能是几十欧姆，对于大功率 MOSFET 可能是毫欧。来自2N7000 数据表您可以看到，对于 4V 的栅极电压和 Vds < 0.5V 的电阻是几欧姆（典型情况下，最坏的情况远不止于此）。所以通常在 50mA 时，它可能会下降 100mV。（电阻 Rds(on) 是原点附近曲线的斜率）。Rds(on) 会随着温度的升高而显着增加，因此在使用 25°C 规格时要小心。如果您没有给它足够的栅极电压（许多 MOSFET 指定为 10V，一些指定为 4.5，而较少指定为 1.8 或 2.5），您可能会获得更高的 Rds(on)。

BJT：从集电极到发射极的电压降取决于电流，但不是线性的。在低电流和高基极电流的情况下，BJT 可能有几十毫伏的电压降。从2N3904 数据表中，您可以看到 Ib = Ic/10 时的特性。您可以看到，在电流为 50mA 时，它的电压降约为 90mV，与 2N7000 非常相似。Vce(sat) 是相关规范。它在温度下非常稳定，但您必须为预期的集电极电流提供足够的基极电流。如果你没有给它足够的基极电流，集电极到发射极的电压会大大增加。在超过基极电压时，它不再被认为是饱和的。

两者之间的一个有趣区别是 MOSFET 在零电流时几乎完全降为零电压，而 BJT 在零集电极电流时可能下降 10 mV（假设您在基极中放置了一些合理的电流——这没有反映在上面的曲线中）。这使得 MOSFET 通常成为 10mV 非常重要的精密仪器应用的卓越开关。

我认为您正在比较两种不同的事物。

您通常在 BJT 中看到的 0.6V 压降是 BE（基极到发射极）结。

对于mosfet，不存在类似的类比。GS（栅极到源极）将始终是相对于源极的栅极电压。

对于 BJT 集电极到发射极，这将取决于您的集电极电流和集电极或发射极电阻。

对于 MOSFET，有一个称为 Rds(on) 的参数，它是源极和漏极之间的电阻。因此，DS（漏极到源极）电压，如 CE 电压，将根据电流而变化。