与其说 NAND 不可靠（尽管它不太可靠），不如说是它们是不同类型的内存，它们的访问方式和读/写速度的差异；因此，它们可用于不同的应用。

NOR 的主要优点是它是随机访问的，这使得使用它来运行代码成为可能。它具有完整的地址和数据总线，因此您可以寻址任何位置并立即读取/写入（写入当然假定地址为空）。

您可以通过其小型 I/O 接口设置地址来读取/写入 NAND，然后读取或写入数据，每次读取或写入时地址自动递增。这使它有利于写入或读取数据或文件流。NAND的写入速度比NOR快。例如，当您在相机上写入图像时，快速写入速度特别有用。当然，NAND 的更高密度更适合存储数据等应用。

编辑：在马库斯的问题之后。

这种访问是有原因的，因为 MOSFET 在 IC 中的物理组织方式。从维基百科借一点：

在 NOR 闪存中，每个单元的一端直接接地，另一端直接连接到位线。这种安排称为“NOR 闪存”，因为它的作用类似于 NOR 门。

每个单元的一端连接到位线这一事实意味着它们（因此每个位）可以随机访问。

NAND 闪存也使用浮栅晶体管，但它们的连接方式类似于 NAND 门：几个晶体管串联连接，只有当所有字线都拉高时才将位线拉低（在晶体管的上方） VT）。

这意味着必须同时访问字中的每一位。

NOR 单元存储器的设计允许以任何顺序独立地对位进行编程（写入“0”），并且没有任何干扰其他位的风险。一些基于 NOR 单元的内存阵列使用经过纠错的内存块，这些内存块必须写入一定大小（例如 32 位）的块中，而不是一次写入一个位甚至一个字节，但这仍然使得写入许多小块变得可行数据块独立地在同一个块中，而不必重新定位数据并擦除旧块。

相比之下，许多 NAND 闪存设备要求在需要擦除整个页面之前使用最多两个离散操作来写入每一页数据。如果想要重复地将数据附加到同一页，则每次这样的操作都需要一个页面复制和擦除周期（也许有人可能会优化事情以仅在每个周期之后使用复制和擦除，但是当使用 NOR 闪存时，可能会管理 1,000 个小每个复制/擦除周期的更新）。