Vgs 只是从栅极到源极的电压（万用表的红色引线在栅极上，黑色引线在源极上）。其他一切都来自上下文。

绝对最大 Vgs是您在任何条件下都应使 MOSFET 承受的最大电压（远离）。通常实际的故障有很大的不同（借用这个数据表）：

Vgs(th) 是MOSFET 在一定程度上“开启”的电压（通常不是很好开启）。例如，在 Tj = 25°C（芯片本身为 25°C）时，漏极电流为 0.25mA，最小 2V 和最大 4V。这意味着如果您希望 20A MOSFET 真正完全开启（不仅仅是传导 250uA）你需要比 4V 更多的电压才能确定它，但如果你的 Vgs 远低于大约 2V，你可以很确定它已经很好地关闭了（至少在室温附近）。

Rds(on) 始终在指定的 Vgs 下测量。例如，它可能是 77m\$\Omega\$，Vgs = 10V，Id = 17A，Tj = 25°C。10V 是您需要为 MOSFET 供电的 Vgs，它才能愉快地开启，因此它看起来像一个非常低的电阻。

当您想知道栅极泄漏时，也会出现 Vgs。在 Vgs = +/-20V 和 Tj = 25°C 时，Igss 可能为 +/-100nA。

Vgs 是栅源电压。

在数据表中，您会找到一个绝对项 Vgss，这是可以在栅极和源极之间施加的最大电压。除此之外，您还有损坏 MOSFET 的风险。

N沟道mosfet本质上是夹在两个N型区域之间的P型。

派对时间。

您正在举办一个聚会并邀请所有附近的电子参加。所以你播放“PARTY AT MA HOUZE YOLO #SWAG！”。即，您在栅极相对于源极施加正电压。鉴于您的邻居距离很远（隔壁），您的广播声音不够大（您低于 Vgs(th)）聆听并与您一起聚会。

Vgs(th) 是 mosfet 通道开始导通的电压。在这个电压下，一个正电压，它会产生一个电场，吸引电子（因为我们施加的电压是正的，所以栅极上有正电荷）。这些在栅极附近积累的电子在源极和漏极（均为 n 型）之间形成了桥接。现在您有了从源极到漏极的“连续”n 型路径。

你只吸引了你的隔壁邻居，所以你的派对有点蹩脚。你如何获得更多的人？你广播的声音更大（增加你的电场范围 - 增加你的 Vgs）。

现在，有响亮的声音，然后是神圣的废话，一架飞机即将撞进我们的房子，这是什么$#@！是噪音吗！？！我们不想把人们吓坏了，所以我们需要知道我们的呼叫比我们的近邻所需的最小值（Vgs（th））大多少（两者之间的差异）。这种差异有几个不同的名称，但我最常听到的两个是 V-on (Von) 或 V-overdrive (Vov)。这个量 (Vgs-Vth) 表示栅极和源极之间的电位比晶体管开启所需的电位高出多少，它几乎影响 MOSFET 的所有其他行为：三极管中的电流（有多少人在只有你的邻居能听到的时候你的聚会），当前饱和（人满为患时有多少人在那里），

所以现在你已经将你的 Vgs 提高到你不能再接受你的财产的人了。你完全吃饱了。您可以随心所欲地广播您的派对，但根本没有足够的空间容纳所有人。你的晶体管现在处于饱和状态。[从技术上讲，更多的人可以参加聚会：如果您的近邻开始广播聚会（增加 Vds），并且人们开始在他们家聚会（源头和排水口），这会增加聚会的人数（增加当前的）。这称为通道长度调制。但是，这只有在您的房子已经满员时才会发生（通道长度调制仅在设备处于饱和状态时才会发生）。]

如果你开始将你的 Vgs 增加到 Vgss 的点，那么......警察会出现并关闭你。未成年人饮酒、吸毒等。你进监狱（你的晶体管已损坏）。