本征体二极管是体和漏极之间的 pn 结。在分立（独立）MOSFET 中，源极和主体通常连接在一起以方便制作三引脚封装。这意味着源极和漏极之间有一个二极管：

如果源极电压始终低于漏极电压，则二极管保持关闭状态，一切都按预期工作。这意味着您不能（轻松）使用 MOSFET 来切换双向信号。分立式 MOSFET 几乎总是用于低侧开关，因此这种限制在实践中并不是什么大问题。

您可以在三端 MOSFET 的标准原理图符号中看到源极和主体连接在一起。

构造mosfet的主要方法有两种：

第一种是这种更平面的方法，其中掺杂了现有的硅并生长了栅极氧化物（来自维基百科的图片）：

这是一种非常容易制作的结构，并且构成了当今集成电路内部大多数数字逻辑的主干。正如您所指出的，实际上这里没有任何东西看起来像二极管：每个 MOSFET 上都没有。（由于 CMOS 是如何在单个芯片上同时使用 N 和 P 沟道 MOSFET 创建的，因此基板和晶圆上 MOSFET 的漏极之间通常有一个二极管，但我不会将其称为“体二极管”的单个 MOSFET。）

所以，没有体二极管。为什么我们看到体二极管被谈论得这么多呢？这是因为离散mosfet通常由以下结构构成（图片来自维基百科）：

这种类型的 MOSFET 结构有几个吸引人的优点：

• 源漏沟道区具有较大的表面积，但在电子流动方向上也不是很厚。可以以最小的电阻损耗支持更高的电流。使用这种结构，您可以轻松获得小于 1 欧姆的有效漏源电阻。
• 在硅中并行化这种类型的 MOSFET 非常容易。一个流行的品牌，称为“HexFet”，每个单元都构建为六边形，它们平铺在功率封装内的硅芯片上。

然而，也有一些缺点：

• 比较高的栅极电容。使用这种结构，您将很难获得 GHz 开关速度。
• 它不利于使用传统技术在集成电路中制造。如今，在集成负载开关或开关稳压器等 IC 中包含这些功能更为常见，但在过去很难做到。对于更高电流的应用，您仍然必须使用单独的 MOSFET 组件。
• 源极和漏极之间那个讨厌的 PN 结，被称为“体二极管”。它通常也是一个非常糟糕的二极管，具有相当高的电压降（0.8V-1.5V）。这个二极管的存在只是设计的一个副作用。如果你想要大电流，你会得到一个体二极管，因为它必须是如何构建的。

在将这种类型的 MOSFET 用于具有感性负载的电源应用时，体二极管确实会派上用场（因为反向尖峰只会在 MOSFET 上反向流动），但如果您明确将它用于该应用，人们通常只会贴上肖特基跨过 mosfet 以及因为跨过 mosfet 的不太好的体二极管的反向脉冲会导致不必要的加热（高电压降 = 更多的耗散功率）。

体二极管作为一个整体位于基板（体/芯片背面）和漏极/源极/沟道之间。为了使 FET 正常工作，它必须是非导通的。这通常通过将其与源触点连接来实现。

不连接批量不是一种选择，因为通道的特性会变得不可靠。一些 FET 的主体位于单独的引脚上，因此您可以在它和源之间连接一个电压源以控制通道的特性。